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標準型DRAM今年以來價格慘澹，業者普遍承受大幅虧損壓力。華邦電今年2月起減少標準型DRAM投片量25%，並藉擴大利基型記憶體投片量逾三倍，來填補這部分產能，成為此波DRAM不景氣中，台灣第一家浮出檯面的減產業者，效益也在第二季發酵。

華邦電結算，第二季仍處於虧損，但已由首季的稅後淨損17.59億元縮小為淨損12.78億元，每股純損0.34元，在特殊型記憶體與編碼型快閃記憶體（Nor Flash）等產品出貨量持續增加下，毛利率轉正；累計上半年稅後淨損30.36億元，每股純損0.82元。

華邦電指出，全球經濟不景氣，影響終端消費，尤其標準型DRAM價格仍未見起色，讓該公司對本季仍採保守態度看待。不過，華邦電仍積極進行各項產品的製程微縮計畫，藉以降低市場價格不振衝擊。

其中Nor Flash部分，明年將陸續轉進90奈米製程生產，2010年進入65奈米世代。華邦電Nor Flash產品以串列式快閃記憶體（Serial Flash）為主，主攻16Mb至128Mb的低階市場。

特殊型記憶體部分，則轉進自家12吋廠生產，預計年底七成以上特殊型記憶體都將以12吋晶圓製造。華邦電特殊型記憶體已打入硬碟相關應用，價格與毛利率相對穩定。

標準型DRAM方面，已從上月起開始有70奈米製程產品產出，預計9月起全數都是70奈米產品出貨，同時並在年底開始導入65奈米試產，預計明年第一季開始大量投片。

華邦電指出，該公司邏輯事業7月1日正式分割成立新唐科技後，未來華邦電將成為100%記憶體晶片製造商，受邏輯部門分割影響，未來單月營收將不認列邏輯部分，造成單月營收帳面數字較以前明顯減少，但將在季報認列新公司轉投資收益。

華邦電目前僅剩一座12吋廠，該公司規劃今年資本支出約160億元，主要用來作為製程提升資金，短期月產能維持3.1萬片，不再擴張，其中約2至2.2萬片生產標準型DRAM，其餘則用來生產非標準型DRAM產品。

配合資金需求，華邦電董事會1日通過將發行私募公司債，上限50億元。