2006年美商AMD與日商Fujitsu分割NOR Flash部門合資成立的Spansion首度打敗NOR Flash的霸主Intel，在NOR Flash的市場占有率達到30.7%，大幅領先Intel的24.5%，以及歐洲半導體大廠STM的16.0%。
2007年第二季Intel與STM宣布分割NOR Flash部門成立專業的合資公司。這將使得NOR Flash市場的前兩大公司占整體NOR Flash市場的占有率高達68.7%。相較之下DRAM產業的前兩大公司合計的市場占有率為45.2%，NAND Flash產業前二大公司合計的市場占有率則為71.5%。整個記憶體產業朝向專業化、大型化的趨勢，將使得競爭家數減少，市場占有率集中。
全球記憶體產業主要由DRAM、NAND Flash、及NOR Flash所組成，2006年這三類記憶體元件合計占有全球記憶體市場的92.1%，其中DRAM占有最大的比重，達到57.8%。NAND Flash已取代NOR Flash占有第二大的市場比重，達到19.7%，而NOR Flash占有第三大的市場比重，達到14.6%。
展望2011年，DRAM仍將是全球記憶體市場的最大比重，達到57%。NAND Flash占全球記憶體市場的比重則將從2006年的19.7%，躍升至2011年的24.6%。NOR Flash至2011年占全球記憶體市場的比重則降為12.7%。DRAM、NAND Flash、及NOR Flash三者合計占全球記憶體市場的比重則從2006年的92.1%，進一步揚升至2011年的94.3%。
整體而言，2006年全球記憶體市場的競爭轉趨激烈，呈現結構性的演變。第一大的南韓Samsung 不僅DRAM市場占有率從2005年的32.1%，降至2006年的28.7%（2007年第一季更降至25.5%），在NAND Flash的市場占有率則從2005年的53.4%，大幅降至2006年的45.4%，面臨在DRAM及NAND Flash市場兩線作戰、腹背受敵的尷尬情況。
美國的Micron在DRAM市場占有率則從2005年的15.5%，大幅降為10.8%，2007年第一季雖開始拉升產量，使其季市場占有率從2006年第四季的8.6%，微幅回升至2007年第一季的9.1%。但因成本不具競爭力，結果贏了市場占有率，卻輸了獲利，（2007年3月到5月共計虧損2.25億美元）。展望未來，全球DRAM產業將呈現Samsung、Hynix、Qimonda、及Elpida四大集團主導的情況。
NAND Flash市場方面，廠商整併或退出的行動持續進行。Renesas及Qimonda宣布退出市場，Toshiba與SanDisk結盟合資建12吋晶圓廠、Hynix與STM結盟在無錫設立合資公司建立一座8吋晶圓廠及一座12吋晶圓廠、Intel則與Mi-cron結盟成立IM Flash，除了在美國的產能外也宣布在新加坡建立一座12吋晶圓廠。NAND Flash產業整併後將呈現Samsung、Toshiba 、Hynix、及IM Flash四大集團分庭抗禮的局面。在NOR Flash市場方面，由原來AMD及Fujitsu的NOR Flash部門分出來成立的Spansion，透過聚焦在產品的設計與開發，並進行產能的調整，將8吋晶圓廠回售給母公司Fujitsu，以及增加對TSMC的委外代工比重，使其順利擠下In-tel成為全球最大的NOR Flash大廠。
Intel面對AMD在CPU市場的挑戰、Spansion在NOR Flash的進取，選擇循以往與Micron合作成立專業NAND Flash公司的模式，將NOR Flash部門分割出來並與NOR Flash市場第三大的STM合資成立新的公司。這也使得全球NOR Flash 市場的版圖明朗化，展望未來，全球NOR Flash市場將由Spansion、Intel-STM合資公司、與Samsung三大公司主導的市場。
全球記憶體產業走向專業化、大型化的趨勢，將隨著研發經費及建立新世代12吋晶圓廠的龐大資本支出而不斷的發酵。DRAM及NAND Flash產業分別集中在四大集團、NOR Flash產業則集中在三大集團的主導之中。市場占有率將更為集中，競爭家數也將減少，這將使得全球記憶體市場逐漸走向較穩定的競爭環境。
而台灣廠商目前在DRAM產業中具備影響全球DRAM廠商市場版圖的力量，在此一基礎上，也將可把影響力發揮到未來深具潛力的NAND Flash 市場中，在全球這一波國際大廠風起雲湧的整併活動中，取得有利的發展機會。
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