聯電（2303）、力成（6239）及爾必達（Elpida）昨共同宣布，將針對包括28奈米先進製程，提升3D（3 Dimensions，三次元）IC（integrated circuit，積體電路）的整合技術，其中，28奈米產品預定在2012年進入量產。
聯電執行長孫世偉表示，28奈米以上製程部分產品則可望在此之前陸續推出。
力成：下半年產能緊
聯電副總兼先進技術開發處處長簡山傑強調，這項合作案將運用爾必達的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）技術、力成的封裝技術及聯電的先進邏輯技術優勢，共同開發邏輯加DRAM的3D IC完整解決方案，第1個產品可能應用於手機產品上。
爾必達社長坂本幸雄說，公司在去年首度以TSV（Through-Silicon Via，直通矽晶穿孔）技術為基礎，成功開發80億位元組的DRAM，坂本幸雄說，這需要可信賴的邏輯晶圓專工夥伴才能達成這個目標。
力成董事長蔡篤恭指出，力成過去幾年在記憶體方面投資非常大的資源在晶片堆疊技術上，期望這次的合作能帶給力成在TSV領域取得領先地位，而他對於下半年景氣看法相當樂觀，「產能都很吃緊」。
針對未來產品應面上，孫世偉說，TSV技術是全面性的運用，一開始可能是DRAM，未來還包括手機應用的記憶體、邏輯晶片用的多項產品等等。
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