聯電(2303)、力成(6239)及爾必達(Elpida)昨共同宣布,將針對包括28奈米先進製程,提升3D(3 Dimensions,三次元)IC(integrated circuit,積體電路)的整合技術,其中,28奈米產品預定在2012年進入量產。
聯電執行長孫世偉表示,28奈米以上製程部分產品則可望在此之前陸續推出。
力成:下半年產能緊
聯電副總兼先進技術開發處處長簡山傑強調,這項合作案將運用爾必達的DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)技術、力成的封裝技術及聯電的先進邏輯技術優勢,共同開發邏輯加DRAM的3D IC完整解決方案,第1個產品可能應用於手機產品上。
爾必達社長坂本幸雄說,公司在去年首度以TSV(Through-Silicon Via,直通矽晶穿孔)技術為基礎,成功開發80億位元組的DRAM,坂本幸雄說,這需要可信賴的邏輯晶圓專工夥伴才能達成這個目標。
力成董事長蔡篤恭指出,力成過去幾年在記憶體方面投資非常大的資源在晶片堆疊技術上,期望這次的合作能帶給力成在TSV領域取得領先地位,而他對於下半年景氣看法相當樂觀,「產能都很吃緊」。
針對未來產品應面上,孫世偉說,TSV技術是全面性的運用,一開始可能是DRAM,未來還包括手機應用的記憶體、邏輯晶片用的多項產品等等。
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