南韓記憶體大廠三星傳出停電意外，加上原本市場供需吃緊，昨包括標準型、利基型DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）、NAND Flash（儲存型快閃記憶體）等產品現貨價翻揚，以利基型DDR 512Mb顆粒現貨均價漲幅7.34%最高。
三星在京畿道器興（Giheung）廠區24日傳出停電1小時，帶動記憶體價格再向上攻堅。據集邦科技昨晚報價顯示，標準型DRAM的DDR3 1Gb品牌顆粒現貨均價來到3.08美元；DDR2 1Gb eTT（有效測試顆粒）均價達3.07美元，上漲3.43%。
南科擬募資逾600億
利基型DRAM方面，DDR 512Mb顆粒現貨均價達2.16美元，較前日漲7.34%，DDR 256Mb顆粒現貨均價1.05美元，上漲2.54%。在NAND Flash方面，主流規格16Gb MLC及32Gb MLC均價分別上揚到4.08美元及7.36美元，上漲3.34%及1.35%。
法人指出，三星跳電實際上對影響目前的DRAM供需並不大，短線上記憶體價格仍會受市場需求強勁而走穩，但集邦科技認為NAND Flash受市場多空因素交雜，3月下旬合約價呈現小幅漲跌。
昨南科公布辦理20億股以下現金增資，以每股面額10元發行，若以昨日收盤價30.9元計算，預估募資逾600億元，南科副總白培霖說，資金將「用以購置設備、償還債務及充實營運資金」。
鈺創發0.16元股利
鈺創擬辦理2500萬股現增及5.02億元無擔保可轉換公司債，預計籌資10億。昨通過配發0.16元股利，包括0.1元股利及0.06元股息。
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