DRAM現貨價上週大漲四成，六月上旬合約價也止跌，讓許多DRAM業者大感意外，不過若由市場供需來看，這回DRAM價格急漲原因，主要來自於DRAM廠進行七○奈米製程微縮，因投片轉換因素導致產出減少，實質需求其實沒有太大幅度改善。由於現階段各家DRAM廠均號稱七○奈米良率高於預期，若實際情況屬實，二個月的製程轉換期過後，價格恐怕將再度因產出大量開出而下滑，讓DRAM廠下半年營運再添變數。
DRAM現貨價格上週由一．七美元急漲至二．四美元，短線漲幅高達四成，讓DRAM業者直呼意外，許多模組廠及通路商更因補貨不及，不得已在二美元以上追價買進顆粒。不過現貨價在上週末觸及二．四美元價位時，實際成交量大幅萎縮，因此已開始有DRAM盤商指出，這波DRAM價格漲幅已達短線滿足點，本周恐將因DRAM廠月底開始釋出貨源，價格將是易跌難漲。
不過若由DRAM市場供需來看這次的漲價效應，主要原因在於DRAM廠的製程轉換，導致實際產出顆粒量減少。
集邦科技就指出，近期台灣DRAM廠紛紛轉進七○奈米製程，在製程轉換的期間內，五月及六月份的產出量減少，由於台灣DRAM廠主要供貨至現貨市場，在預期供給量將減少的情況下，才帶動現貨價大幅反彈，但八月後七○奈米製程轉換若順利，價格恐怕就有回跌壓力。
記憶體模組業者就指出，因為這波DRAM價漲是來自於供給量的減少，而不是實質需求的改善，所以漲價時間不會太久，若由以往歷史經驗來看，每一世代的製程微縮，至少會有半年左右的時間，DRAM廠會因新製程良率不如預期，而有助於DRAM價格維持在高檔。
業者也表示，在同樣良率的情況下，七○奈米在十二吋廠中每片晶圓產出的裸晶數（gross die），會較上一世代的九○奈米增加五成至六成，這次國內各家DRAM廠均號稱七○奈米良率超乎預期的好，所以隨著七○奈米的晶圓投片量增加，第三季光台灣DRAM廠的產出，可能會較第二季多出三成，若屆時市場需求未見明顯改善，價格恐怕會有更大的下跌壓力，這將成為第三季DRAM廠營運另一大變數。
不過包括南亞科技、爾必達等DRAM廠則樂觀看待，認為七月後Vista帶動的DRAM需求將明顯浮現，現在DRAM廠間的殺價動作也已經停止，七月的合約價很有機會調漲，下半年DRAM市況不宜看淡。
晶圓代工廠的營運模式是接單生產，可以與客戶端進行協商後，再針對總體需求進行產能設計，但DRAM廠卻完全不同，在追求龐大經濟規模及超低成本的市場結構下，不論景氣好或壞，每個月都是滿載產能投片，所以DRAM廠若要有效降低單位生產成本，除了擴大投片量及提高良率外，另一個重要策略就是要比競爭對手更早進行製程微縮工程。
因為DRAM是半導體市場中獨特的標準型產品，所以隨著各家DRAM廠的投片量增加及良率提升，市場供給量只會愈來愈多，當然價格也會是愈來愈低。在這個宿命下，DRAM廠要追求龐大的高額獲利，就只有一條路可走，那就是比誰的單位成本最低，只要能夠應用到最先進的製程，讓成本有效降低三成或四成，就可以拉大成本與實際售價間的差距，當然若售價高於成本則會有很不錯的獲利，但若售價低於成本，至少比競爭對手虧得少。
在這個產業特性下，每隔十二個月至十八個月時間，DRAM廠就得開始針對次世代製程進行微縮，如前年底國內外DRAM廠正在進行○．一一微米轉換至九○奈米的重大工程，現在則是見到各家業者開始將主流製程，由九○奈米微縮至七○奈米。
理論上，若整個DRAM市場是處於一個良性多頭架構下，只要提早將製程微縮至下一世代，一定可以獲得龐大的利潤，但很可惜的是，今年國內DRAM廠商開始進行七○奈米微縮時，卻遇到了市場嚴重供給過剩的空頭市況。
對DRAM廠來說，若七○奈米製程微縮順利，雖然成本可以降低三成至四成之多，但是同樣一片十二吋晶圓，可切割出顆粒成長率卻高達四成至六成。只是在現在這種供給過剩的市場條件下，DRAM廠面臨的是個兩難的局面，因為製程微縮後雖可降低成本，降低虧損幅度或可轉虧為盈，但新製程讓DRAM位元成長率一下子拉高，卻有可能導致原本供給過剩的市況更為惡化。
現在面對DRAM價格崩跌，國外DRAM廠已有許多替代性產品，可用來降低產品線過度集中的風險，如三星及海力士可提高NAND產能，美光也可擴大CMOS影像感測器出貨，爾必達及奇夢達則可拉高價格穩定的GDDR或利基型DRAM產能。
但國內DRAM廠至今為止，生產線仍有八成以上集中在標準型DRAM上，所以如何在加快製程微縮的動作中，還要抵抗不理性的價格波動，將是台灣DRAM廠未來營運上最大的風險及轉機，的確得好好思考一下正確的營運策略，而不是盲目進行製程轉換。
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