台積電昨（29）日宣佈，將28奈米製程定位為全世代（full node）製程，同時提供高介電層金屬閘（HKMG）及氮氧化矽（SiON）材料等兩種選擇，以支援不同產品的應用及效能需求。台積電強調，今年底會開始提供客戶28奈米晶圓共乘服務，預計2010年第一季開始生產。
台積電28奈米系列製程同時具備了HKMG及SiON電晶體兩種選擇的彈性製造能力，28奈米製程將是此一系列中的全世代製程。目前有多個客戶正使用台積電28奈米製程進行產品設計，藉由與客戶密切的協同合作，可以讓客戶選用最佳化的電晶體材料，以達到速度、耗電與成本考量的目標。
以SiON為基礎的28奈米低耗電高效能製程28LPT製程，是此一製程系列中總功耗最低、及具備成本效益選擇，與40奈米低耗電製程（40LP）相較，其閘密度預計可增為2倍，速度可增加最多達50％，功耗可減少30％至50％。28LPT製程預計於2010年初即可開始生產，可應用於行動基頻、應用處理器、無線網路與可攜式消費性電子產品等晶片。
至於28奈米高效能製程28HP（High Performance），則是台積電第一個使用HKMG的製程，將著重於中央處理器、繪圖處理器、可程式邏輯閘陣列（FPGA）等高效能的產品應用，預計於2010年上半年度開始生產。28HP製程與40奈米泛用型製程（40G）相較，在類似的電力密度下，28HP製程的閘密度增為2倍，速度則高出30％以上，且在28奈米世代之後的更新世代製程，HKMG材料將具有明顯的優勢。
台積電指出，目前正與客戶及設計生態系統合作夥伴密切合作，於近來揭示的開放創新平台（OIP）上，建構一完善的28奈米製程設計基礎，目標在於協助客戶使用此一製程系列發展眾多不同產品的差異化。
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