去年拿下四百億元聯貸案後，力晶將在近日與銀行團再簽定總金額近六百億元的聯貸案！據參貸銀行透露，此聯貸案將在八月二日正式簽約，在主辦行華南銀行與國泰世華帶動十九家銀行搶貸風潮之下，此次力晶的聯貸案不僅較原先規劃的四五○億元爆增至六○○億元，還使力晶得到了比去年年中四百億元聯貸案約○．一個百分點的優惠利率。
銀行業者指出，目前聯貸金額至少五六○億元，其實合約已大抵拍定，但現在正等最後一家銀行業者決定，若一切順利，聯貸銀行業者共計十九家，聯貸金額將可增至超過五九○億元。
半導體龍頭力晶此次聯貸金額之大，將改寫今年初以來聯貸市場的新高紀錄，而在金管會要求銀行針對聯貸在內的業務提出訂價政策，以及央行祭出不斷升息的貨幣政策後，銀行業者間殺價競爭聯貸業務之風已漸歇，不過此次碰到了去年獲利亮眼的力晶，提出大金額的聯貸需求，主辦及參與聯貸，約十九家的銀行業者幾經會商之後，仍願意以優惠利率捧場。
儘管目前商業本票初級市場利率為二．六八％，但由於銀行此次僅加六十至六十五點，比起去年年中約少十點，因此，力晶此次所能得到的聯貸利率，大約位於三．三％上下；對此銀行業者認為，力晶去年大賺二七三億元，這種獲利亮眼的特質，「應在聯貸利率上予以反應！」
銀行業者私下指出，由於多家銀行在面板業的貸款已達上限，因此蜂湧轉進半導體市場，從這次近二十家銀行爭相參貸的盛況可見一斑；影響所及，原本規劃四五○億元聯貸金額，不僅「爆增」至六○○億元，原先規劃各分配給力晶一五○億元、力晶旗下瑞晶三百億元的聯貸金額，如今亦已更改為力晶一九○億元，瑞晶至少三七○億元，「倘若最後一家參貸行拍定，瑞晶聯貸金額就可因此增至四百億元！」
根據力晶向銀行團提出的報告，力晶公司主要將聯貸金額用於投入七○奈米製程研發，至於瑞晶近四百億元聯貸金額，則投入中科十二吋晶圓廠第一及第二廠開發，特別是第一廠的第一、二期工程，尤其仰賴此筆金額。
繼南亞科（2408）、華亞科（3474）宣告DRAM合約市場熱度活絡訊息後，主攻現貨市場的力晶（5346）也以報價逐季回升、70奈米效益發揮為由，傳遞下半年營運穩健樂觀看法。力晶董事長黃崇仁在法說會中表示，八月底時DDR2 512Mb ETT價格可望回到二．五美元，第四季有機會上看三美元，總體下半年價格約落二．五美元至三美元穩健狀態。
近來DRAM報價逐漸好轉，而根據力晶總經理謝再居表示，在DRAM部分，因Vista與消費性電子產品需求的提升，加上自九○轉入七○或是八○奈米製程有其難度，再者八吋廠除役，因此下半年DRAM市場是樂觀的。
黃崇仁則更進一步推測，八月份五一二Mb之DDR2（Finish Good）報價可回穩到二．五美元，到了第四季進一步上漲到二．五至三美元間，另外第三季一G的報價也會達到五至六美元，甚至更高。
力晶總經理謝再居指出，在DRAM價格超跌可望刺激需求、部分廠商80奈米以下製程轉換發生困難，以及整體產出受到Nand Flash產能排擠效應和八吋廠漸退出市場因素，下半年DRAM沒有悲觀的理由。為突破獲利空間，力晶下半年將集中火力於70奈米製程轉換上；第三季70奈米製程約達總產出三○％，年底拉高至七○％，以強化成本結構降至二美元之下。
謝在居說，從長期行情觀察，Nand Flash現貨利潤多優於DRAM，力晶推展Nand Flash進度未歇。70奈米 NAND Flash產品將於第四季正式於12A、B廠投入量產，而爭取的新竹12C、12D新廠，也規劃將十二萬片產能，悉數投入Nand Flash運作，預估明年中後，營運效益可望隨之浮現。
力晶第三季因無新產能開出，轉投資的瑞晶也僅小量投產，單季新增產能力道，端賴製程技術推進貢獻；八月前受制仍處製程轉換調整期，第三季DRAM位元出貨成長約一○％，第四季方有大幅提升表現。
據了解，雖然力晶第三季受制70奈米製程轉換的成本條件恐要到八月才有獲利貢獻，所幸旺宏持股出脫利益入帳，增添單季獲利增長；第四季70奈米躍居生產主流，重新啟動DRAM獲利攀升貢獻。
力晶毛利率為負十六．四九％，單季稅前虧損五十四億元，稅後虧損三十八．四四億元，單季每股虧損○．五六元，但半年報仍有獲利，累計上半年稅前獲利二十七．三九億元，稅後三十六．八八億元，每股獲利○．五四元。
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