去年拿下四百億元聯貸案後,力晶將在近日與銀行團再簽定總金額近六百億元的聯貸案!據參貸銀行透露,此聯貸案將在八月二日正式簽約,在主辦行華南銀行與國泰世華帶動十九家銀行搶貸風潮之下,此次力晶的聯貸案不僅較原先規劃的四五○億元爆增至六○○億元,還使力晶得到了比去年年中四百億元聯貸案約○.一個百分點的優惠利率。

    銀行業者指出,目前聯貸金額至少五六○億元,其實合約已大抵拍定,但現在正等最後一家銀行業者決定,若一切順利,聯貸銀行業者共計十九家,聯貸金額將可增至超過五九○億元。

    半導體龍頭力晶此次聯貸金額之大,將改寫今年初以來聯貸市場的新高紀錄,而在金管會要求銀行針對聯貸在內的業務提出訂價政策,以及央行祭出不斷升息的貨幣政策後,銀行業者間殺價競爭聯貸業務之風已漸歇,不過此次碰到了去年獲利亮眼的力晶,提出大金額的聯貸需求,主辦及參與聯貸,約十九家的銀行業者幾經會商之後,仍願意以優惠利率捧場。

    儘管目前商業本票初級市場利率為二.六八%,但由於銀行此次僅加六十至六十五點,比起去年年中約少十點,因此,力晶此次所能得到的聯貸利率,大約位於三.三%上下;對此銀行業者認為,力晶去年大賺二七三億元,這種獲利亮眼的特質,「應在聯貸利率上予以反應!」

    銀行業者私下指出,由於多家銀行在面板業的貸款已達上限,因此蜂湧轉進半導體市場,從這次近二十家銀行爭相參貸的盛況可見一斑;影響所及,原本規劃四五○億元聯貸金額,不僅「爆增」至六○○億元,原先規劃各分配給力晶一五○億元、力晶旗下瑞晶三百億元的聯貸金額,如今亦已更改為力晶一九○億元,瑞晶至少三七○億元,「倘若最後一家參貸行拍定,瑞晶聯貸金額就可因此增至四百億元!」

    根據力晶向銀行團提出的報告,力晶公司主要將聯貸金額用於投入七○奈米製程研發,至於瑞晶近四百億元聯貸金額,則投入中科十二吋晶圓廠第一及第二廠開發,特別是第一廠的第一、二期工程,尤其仰賴此筆金額。

    繼南亞科(2408)、華亞科(3474)宣告DRAM合約市場熱度活絡訊息後,主攻現貨市場的力晶(5346)也以報價逐季回升、70奈米效益發揮為由,傳遞下半年營運穩健樂觀看法。力晶董事長黃崇仁在法說會中表示,八月底時DDR2 512Mb ETT價格可望回到二.五美元,第四季有機會上看三美元,總體下半年價格約落二.五美元至三美元穩健狀態。

    近來DRAM報價逐漸好轉,而根據力晶總經理謝再居表示,在DRAM部分,因Vista與消費性電子產品需求的提升,加上自九○轉入七○或是八○奈米製程有其難度,再者八吋廠除役,因此下半年DRAM市場是樂觀的。

    黃崇仁則更進一步推測,八月份五一二Mb之DDR2(Finish Good)報價可回穩到二.五美元,到了第四季進一步上漲到二.五至三美元間,另外第三季一G的報價也會達到五至六美元,甚至更高。

    力晶總經理謝再居指出,在DRAM價格超跌可望刺激需求、部分廠商80奈米以下製程轉換發生困難,以及整體產出受到Nand Flash產能排擠效應和八吋廠漸退出市場因素,下半年DRAM沒有悲觀的理由。為突破獲利空間,力晶下半年將集中火力於70奈米製程轉換上;第三季70奈米製程約達總產出三○%,年底拉高至七○%,以強化成本結構降至二美元之下。

    謝在居說,從長期行情觀察,Nand Flash現貨利潤多優於DRAM,力晶推展Nand Flash進度未歇。70奈米 NAND Flash產品將於第四季正式於12A、B廠投入量產,而爭取的新竹12C、12D新廠,也規劃將十二萬片產能,悉數投入Nand Flash運作,預估明年中後,營運效益可望隨之浮現。

    力晶第三季因無新產能開出,轉投資的瑞晶也僅小量投產,單季新增產能力道,端賴製程技術推進貢獻;八月前受制仍處製程轉換調整期,第三季DRAM位元出貨成長約一○%,第四季方有大幅提升表現。

    據了解,雖然力晶第三季受制70奈米製程轉換的成本條件恐要到八月才有獲利貢獻,所幸旺宏持股出脫利益入帳,增添單季獲利增長;第四季70奈米躍居生產主流,重新啟動DRAM獲利攀升貢獻。

    力晶毛利率為負十六.四九%,單季稅前虧損五十四億元,稅後虧損三十八.四四億元,單季每股虧損○.五六元,但半年報仍有獲利,累計上半年稅前獲利二十七.三九億元,稅後三十六.八八億元,每股獲利○.五四元。

   

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