DRAM記憶體景氣春燕飛來，集邦科技（DRAMeXchange）17日晚盤最新DRAM現貨報價，512Mb DDRII品牌顆粒報價勁揚逾4%，均價重回暌違三個月的1美元，並激勵有效測試顆粒（eTT）均價衝上0.96美元，同創近期新高。
本土DRAM廠將自下旬起陸續召開法說會並揭露去年第四季與全年財報，22日南科、華亞科打頭陣，分析師表示，去年第四季DRAM價格不振，業者財報難看已在預期中，從近期DRAM報價回穩來看，業者營運可望漸入佳境，法說會上對於業績展望應該都屬正面解讀。
市場原預期DRAM合約價最快要到農曆年前才有機會反彈，但17日DRAM現貨價突破1美元，不僅比業界預期來得早，更有助帶動元月下旬合約價走勢朝正向發展。DRAM族群17日股價陸續表態，力晶、南科、華亞科都以漲停價收盤；茂德則收在最高價8.69元，漲幅逾6%。
根據集邦報價，512Mb 667MHz DDRII品牌顆粒17日均價站穩1美元關卡，是去年11月失守1美元後，首度重回1美元價位，盤中最高價達1.1美元，近一個月來該規格顆粒均價漲幅已近10%，價格底部反彈意味濃厚；512Mb DDRII 有效測試顆粒均價同步走揚，均價0.96美元，也是近來新高。
集邦估計，隨DRAM廠在2月陸續進行歲修，減少產出，加上個人電腦 銷售量可望自3月起走揚，將帶動512Mb顆粒價格上攻到1至1.2美元。若第二季前，DRAM廠商宣布部分停產或降低資本支出，則1Gb DDRII顆粒可望率先起漲，突破2.5美元，將帶領DRAM廠告別虧損。
業者認為，DRAM現貨價波動幅度較大，但一路重挫後，底部已經成形，反彈是必然趨勢，本月上旬合約價格止跌行情確立，下旬合約價至少會有持平以上走勢，並維持緩漲格局。
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