◆2007 年半導體市場上半年仍舊處於調整庫存階段,不過下半年之後受到中國、印度、俄羅斯等新興市場需求強勁影響,整體來說表現優於原先預期;然而接近年底受到高油價與美國次級房貸爆發影響,消費者對於2008 年景氣衰退的疑慮逐漸加大,將影響到2008 年的消費需求,進而影響到半導體整個景氣成長動力。
◆2008 年主要成長動力來源在於筆記型電腦取代桌上型電腦、低價電腦的旋風,以及微軟推出的Windows Vista 新作業系統取代原先的Windows XP,以及新興市場對於通訊與消費性產品的需求。
◆以目前統計各大廠2008 年的資本支出來看,明年皆呈現幅度不小的衰退,顯示整體半導體產業對於明年的景氣看法趨於保守。
◆DRAM 廠商供給在70 奈米製程產能開出之下供給位元也將有60%以上的成長,不過在Vista 效應之下需求預計也將成長,雖然2008 年廠商的資本支出也都大幅下降,但是預計靠致程微縮也將使得明年出現供過於求狀態。
2007 年回顧
就總體經濟來觀察,2007 年影響最大的可算是油價上漲至近年來的新高點每桶接近100 美元,雖然最大經濟體美國2007 年之企業投資金額可望上揚,但消費者支出預料將出現下滑趨勢,因此美國全年經濟成長率可能不到2.0%,低於原先預期。
整體而言,消費者支出逐漸下滑,是美國經濟成長速度減緩的主因,此外美國次級房貸(subprime loan)市場壞帳問題,也逐漸拖累整體經濟表現。國際貨幣基金IMF 最新公佈半年一度的全球經濟展望報告,指出美國次級房貸問題將使得美國經濟成長趨緩,而2008 年全球經濟成長率也從原本的5.2%下修到4.8%,另外IMF 認為,如果金融市場動盪對先進國家經濟的衝擊超過預期的話,2008 年全球經濟成長率有三成的機率下滑到3.5%。
次級房貸引發的信用危機2008 年將持續拖累經濟,美國尤其明顯,預估2007年和2008 年美國經濟成長率都只有1.9%,低於上一次發布的預測值分別是2%和2.8%。不過IMF 認為,次級房貸的衝擊多數僅限於美國國內,像中國現在已經是全球經濟成長的最重要單一推手,其經濟仍在持續快速發展中,而其他新興國家經濟也同樣強勁成長,印度2007 年成長率預估9%,俄羅斯8%,整體而言,全球2007 年經濟成長有一半來自中國,印度和俄羅斯的貢獻,2008 年也持續此一趨勢,亞洲等新興國家尤其是中國將成為經濟成長最大的地區。
2008 年展望
一、 晶圓代工
◆2008 年景氣維持穩定成長,年成長率高於2007 年
儘管全球半導體貿易統計組織WSTS 及專業市調機構Gartner 相繼調降2007 年全球半導體產業成長率,2007 年呈現低個位數成長率已成為業界共識,不過,對於2008 年半導體景氣卻抱持樂觀態度,WSTS 及Gartner 分別預估2008 年全球半導體景氣將成長10.2%及8.7%,不過,大環境如油價、Vista、數位電視(DTV)產品帶動及奧運效應等因素影響,仍值得後續關注。
雖然研究機構對2008 年半導體景氣看法樂觀,但是否會成為另一波半導體景氣高點,大環境仍有幾點因素需後續觀察,包括美國總統大選通常伴隨較高經濟成長率、2008 年奧運帶動大陸市場成長,還有多樣產品如數位電視及微軟Vista作業系統效應逐漸發酵。
儘管仍有關鍵性產品帶動電子產業成長,不過,整體大環境經濟狀況仍值得關注,包括美國消費者支出預料將會走弱,2007 年很可能會低於2%,而日本經濟成長率自第2 季起亦出現走弱跡象,成長率為1%;此外,由於原油價格走高到接近每桶100 美元,對消費者的購買意願及實質購買力的影響將值得持續觀察。
至於台灣部份,TSIA 預估2007 年台灣IC 產業產值可望成長9.7%,較原先預期10%向下略微修正,主要原因是台灣IC 產值上半年都呈現負成長,到2007 年下半才回歸正成長軌道,估計2008 年將有機會成長超過10%,且2010 年台灣IC產值將首次達到新台幣2 兆元水準。
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台積電總執行長蔡力行於第三季法說會上首度證實,2008 年資本支出將顯著減少,雖然透露精確數字,不過下游設備業者卻推測,台積電2008 年資本支出將僅約18 億美元,較2007 年26 億美元銳減約30%。台積電2008 年資本支出將大幅減少,主要原因是認為2007 年所建置90、65 奈米製程產能已足以因應2008年需求成長,同時台積電既有設備生產力及投資生產效率亦持續提高,台積電此次提前釋出保守看待2008 年資本支出訊息,尤其大動作銳減資本支出,更加深對2008 年景氣的變數。
另一家代工廠聯電也表示,先進製程已出現越代(skipping-node)現象,跳過1 個世代,等次世代產品問世再採購,然這形成對先進製程的觀望;如果供給面遵循摩爾定律,但需求面卻沒有每年同步增加40%,市場對於晶圓需求當然會減少,因此也同步大幅下修明年資本支出金額。
據市調機構Gartner 報告指出,在全球半導體業者削減2008 年資本支出的情況下,目前半導體設備市場疲軟的態勢,恐將延伸進入2008 年,該機構預估2008年全球半導體在晶片設備方面的支出為437 億美元規模,衰退幅度4.3%。2007年7 月中旬,Gartner 原先預期2008 年全球半導體設備支出為457 億美元,年增率約在6.2%,事隔不到3 個月Gartner 隨即下修預測,以目前對2007 年預估來看,2008 年半導體設備支出呈現小幅下滑。
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2008 年主要成長動力來自於數位家庭相關產品
數位家庭定義相當廣泛,基本上是以家用電腦為中心,家庭網路和家庭閘道共同構成的一個完整的網路平台,支撐著家庭各個數位產品的連接和與外部資訊的溝通,一般認為數位家庭是聚合了「Computer」、「Consumer」、「Communication」、「Car」、「Channel」與、「Content」六C 產業的一門藝術,透過寬頻網路所連結的各種HD 數位內容,將透過各種手持式設備、家電與與汽車電子裝置,深入人們的生活。
近年在MP3、iPod 及數位相機的普及下,音樂及影像數位化也已漸趨成熟,以往放在CD 中的音樂及軟片中的影像,都已經變成個人電腦中的數位檔案,凡此種種都為數位家庭的普及化,奠定相當好的基礎,預計數位家庭在未來五年,將可創造出約新台幣8 兆元的商機,小從電腦中的晶片、錄放影光碟機、液晶電視等相關產業,大到電腦主機、儲存設備及各項無線通訊技術及設備等,幾乎所有在消費電子供應鏈上的廠商,都能分一杯羹。數位家庭是新生活模式的變革,而且牽涉的層面很廣、業者很多,不管是產品、介面、平台、協定、使用模式都還需要時間來一一解決和學習。
幾乎所有重量級的大公司在數位家庭上都給予相當重視程度,數位家庭的雛型即將逐漸成形,各項消費電子產品及零組件的發展藍圖,有了更龐大的潛在商機。
娛樂電腦(Entertainment PC;EPC)擺脫個人電腦,結合DVD 錄放影機(DVD
Recorder)、上網購物、遠端監控及處理文書等功能,加強影音娛樂及安全;次世代遊戲機更完善的連線服務,不僅可連線上網或無線傳輸進行互動,進一步連結家中電腦、掌上型遊戲機及手機;電視上則可使用Triple Play 服務,即提供整合Data、Voice、Video 等三種相關服務,進而延伸至IPTV,跨越電視廣播、網路及電信產業,衍生至各行各業所需之服務,未來透過各平台間的整合,數位家庭之商機將從客廳延伸至家中每一處。因此在數位家庭的概念逐漸成形的同時,對於半導體的需求也將同步提升,2008 年半導體產業主要成長動力來源可以說是圍繞著數位家庭所需的各種相關產品。
二、 封裝測試
◆委外代工趨勢2008 年持續擴大
全球整合元件製造廠IDM 掀起「輕晶圓廠」(fab-lite )經營策略,前段生產製造與後段封測紛委外代工,尤其是設備投資高與產值較低的封測釋出訂單更為明顯,這使得國內晶圓代工與封測業積極搶食IDM 訂單,成為明年營運成長的一大動力。舉例來說晶圓代工龍頭廠台積電到今年第三季為止,設計公司佔營收比重約66%,IDM 則佔營收比重約34%,這比去年同期的29%增加5%,預期明年IDM佔營收比重將進一步提高;聯電到今年第三季為止,設計公司佔營收比重達73%,IDM 佔營收比重約27%,比起去年同期的44%則是減少,但比今年第一季的24%已較為回升。
全球晶片市場庫存過剩問題在2006 年中開始發酵,在長期不易轉虧為盈、或毛利率持續走跌等壓力下,許多IDM 大廠已經開始進行資產輕減的計劃,包括德儀45 奈米以下製程將轉與台積電、聯電合作,恩智浦(NXP)、意法半導體、英飛凌、飛思卡爾、新力等大廠,則開始縮減或關閉自有晶圓廠,並宣佈將擴大委外代工。
此一市場的強勁成長走勢還將持續下去,因為有更多的晶片供應商開始採取無晶圓廠模式,並將封裝和測試業務外包以降低成本。根據市場研究公司Frost & Sullivan 所發表的報告預測,亞洲封裝市場將在2006~2010 年間增加近一倍,規模超過280 億美元。在以消費者為中心變化隨之而來的,是要求更快的上市時間和頻繁的功能變化,消費性電子化所帶來的產品多樣化,造成了大者恆大的現象,因為只有大公司才能負擔龐大的產量,並獲得足夠的利潤,於是合併的現象將出現在各種規模等級的公司。封裝業者正面臨一種擺脫不了的宿命--客戶的設計越來越複雜且需要量身訂做,但卻還是批發價格,因此就算是高階的研發,也必須設法降低成本,目前看來唯有專業封裝測試廠才有此一技術與成本兼顧的能力。
此外,儘管越來越精細的製程可帶來晶圓空間與成本的節省,不過系統電路板微縮的速度並不會同步,而兩者之間僅能靠封裝技術做為橋樑,再加上封裝與測試技術成本越來越高、研發也越來越重要,晶片製造商不會想要在好不容易降低晶圓成本之後,反而去增加封裝成本,現在有不少中型晶片製造商仍擁有內部封測部門,但也開始發現越來越難維持、也不划算。因此這些公司逐漸放棄封裝和測試業務;而即使是自己負擔大部分封裝業務的公司,也不能在內部完成所有的工作,更加使得封測外包逐漸增加。
近年來,封裝技術發展趨勢主要配合電子元件朝高密度、高I/O 數、低操作功率、表面元件模組化、複合結構化等方向發展,使封裝技術朝高集積化、多腳/細微化、薄型化、多晶模組封裝化及低成本方向進行,包括因應腳數增加的細間距銲線技術、覆晶封裝、堆疊式封裝、晶圓級構裝、多晶模組(Multi-chip Module,MCM),以及系統整合型封裝(SiP)技術等,均是封裝大廠必備的技術要求,期盼藉此爭取IDM 大廠訂單。除了電子產品本身朝精密化、微細化發展趨勢外,近年來另一個發展趨勢是因應環保需求的無鉛化封裝潮流,尤其因應歐盟環保法規,架上貨品需合乎無毒化、無鉛化要求,使得封裝大廠必須具備無鉛化製程能力,未來綠色環保材料將更受到重視,對台灣封裝廠而言,雖然往更高階產品以及綠色產品發展需要更多的資本投入,但同時也突顯出IDM 大廠越來越不可能自行投入高階封測設備,委外代工趨勢勢必越來越明顯。
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◆政府開放封測廠西進大陸速度仍不夠快,恐影響產業未來競爭力
懸宕已久的封測西進案,今年6 月份已獲經濟部口頭承諾,將予以開放,包括日月光與恩智浦(NXP)的蘇州封測廠合資案,以及矽品、華東、超豐等三家業者,總計四項封測大陸投資案,可望放行登陸。
過去因政治考量,最初只讓台積電赴上海松江廠設八吋廠,去年雖開放封測廠可申請赴大陸設廠,但至今只有日月光收購上海封測廠威宇科技案獲核准,其它封測申請案仍卡在投審會。只是,後來政府又核准力晶、茂德八吋廠登陸,若再將半導體產業後段封測廠留在台灣,似乎已失去正當性,所以在封測業者積極爭取下,政府才答應放行。
目前大陸封測市場正處於起飛階段,尤其英特爾決定到大連設立12 吋廠,後續將吸引更多國際IDM 廠或晶圓代工廠到大陸設廠,所以政府若開放日月光、矽品、超豐、華東等四家具指標性的封測廠登陸,以日月光與矽品的實力,將可與在當地深耕多年的艾克爾、新科金朋等一線大廠一較高低。華東在華新集團的奧援下,更有助台灣記憶體封測廠開拓大陸市場,爭取中芯及海力士大陸封測訂單。至於超豐合法登陸,則有機會成為大陸消費性封測廠龍頭。
中國大陸已是全球半導體產業最大的單一市場,即使美國之前對高科技輸出有重重禁令,但龍頭英特爾都千方百計要將先進製程移往中國,就是怕在中國大陸的商戰中晚一步,最後出現被迫離場的殘忍事實。
在國際大廠爭相進入中國之後,大陸半導體產業鏈中的封測市場產能逐步吃緊,包括美商艾克爾(Amkor)、新加坡的新科金朋等大廠,都爭相擴大產能。中國最大的晶圓代工廠中芯,也與新加坡聯測合作,在成都設立了新廠,以解決供不應求的窘境。
雖然政府早在去年4月就已經開放低階封測技術登陸,但由於政策性審查的遊戲規則遲未出爐,使得國內封測業者因為「技術性障礙」坐困愁城。
如今,在延宕超過一年後,好不容易等到了政府點頭放行,卻不知對岸的商機是否已消失?業者更擔心的是,大陸封測廠在未來三到五年內,中高階技術的上下游生產鏈,若發展更趨完備,以其最擅長的殺價競爭,台灣業者勢必無招架之力,因此政府在封測西進的腳步上宜加速進度以免業者喪失市場先機。
三、 DRAM
◆IDC 預測2007 年DRAM 市場將萎縮1%
根據IDC 報告預測,2007 年整體DRAM 市場將萎縮1%,總營收為336 億美元,比起2007 年5 月份的預測值增加3%。價格上的變動帶動比Vitsta 更具規模的需求量,但是日益增加的供應壓力仍將壓過需求。
2008 年12 吋改版及具挑戰性的70nm 製程微縮的供應壓力將比預期更多。IDC 對於到2008 年為止市場修正將不會減緩,且對於在2007 年底將有短暫平衡的預測仍維持不變。在2008 年成長3%之後,下一次的恢復循環將於2009 年開始。IDC 預測2007~2011 年期間DRAM市場的複合年成長率為7%,且在2011 年營收將為447 億美元。
全球DRAM 市場2007 年下半年的變動,除了要考量到需求端因素外,更重要的在於全球DRAM 廠總產出量的Bit Growth 幅度也是影響下半年全球DRAM 市場好壞的重要因素之一,目前看來下半年所有DRAM 廠為能迎合Vista 及Xbox 360 與PS3 甚至是Wii 等遊戲機大廠龐大需求,無不卯足全力投產,到了2007 年第三季在繪圖用DDR 記憶體的供應量成長幅度有明顯增加趨勢,第三季成長幅度便已逾45%,與2007 年的第一季的-1.5%與第二季的20.2%相較,成長相當驚人。
至於在手機用記憶體部分,同樣見到手機市場下半年的強勁需求,成長幅度也相當驚人,2007 年第三季如就手機用記憶體佔所有DRAM 總產能比重來看,第三季手機記憶體佔總供應量約7.7%,這與第二季的7%相較仍舊持續出現成長,但到了第四季受到消費性電子產業需求旺季,使得手機需求也同步加溫,因此第四季手機用記憶體比重更進一步成長至8.3%左右,DRAM 廠標準型DRAM 也讓這批手機用記憶體搶走不少產能。
DRAM 記憶體供應商在第三季開始消減產量,這將對DRAM 市場的景氣有長遠而重大的影響。不過,iSuppli 仍然認為在第四季DRAM 記憶體的價格會較第三季下跌超過10%,而且供應商的獲利也會隨之下滑。電腦OEM 廠和通路業者仍在消化今年以來累積的高庫存量,這使得DRAM 記憶體製造商將面臨慘澹的第四季。
此外,LCD 面板缺貨的狀況也將影響某些個人電腦製造商採購DRAM 記憶體的意願,LCD 面板價格上漲也壓抑了第三季個人電腦內DRAM 記憶體容量成長的幅度。而另一個在第四季必須面臨的問題,則是在不久之前,南韓三星電子的NAND Flash工廠因停電而造成減產的事件,這迫使三星電子必須轉移部份DRAM 記憶體的產能,改為生產NAND Flash。
iSuppli 預估,2007 年全球的DRAM 記憶體產量將激增97%,2008 年成長率減緩至60%以內,將有助於保持市場供需狀況的平衡。但另一家市場研究公司ICInsights 對DRAM 記憶體市場的看法則有不同觀點,IC Insights 認為DRAM 記憶體市場雖然在2007 年上半年呈現率退的現象,但在下半年已有好轉,並且將會繼續向上攀升,IC Insights 並且預估今年DRAM 記憶體產量將會成長81%。
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◆2008 年需求推動來自等待已久的微軟新作業系統Vista
由於Vista 標榜為64 位元的作業系統,所代表的意義是指其處理速度比現有的32 位元更快,英特爾與超微等CPU廠商為了配合下一個64 位元世代的來臨,也推出相對應的64 位元CPU 來因應,例如超微的Athlon 64 桌上型處理器、Sempron 和Turion 64,以及英特爾的Itanium 2、Core 2 Duo(Conroe)、Core 2Duo(Merom)等。由於Vista 作業系統運算資源龐大,大多數建議使用者最好採用新一代雙核心的中央處理器,才可以讓整體效能運作順暢,加上記憶體至少要在1G 以上,使得消費者對DRAM 需求大幅增加。
就DRAM 產業而言,在這次的Vista 新系統出現之前,平均每台新購買的PC 搭載的記憶體容量約650MB~700MB,有了Vista 商機的加持,每台PC 搭載記憶體的容量至少1GB,約在1.1GB~1.2GB 之間,兩者比較成長幅度就超過50%;另外還必須加上原本舊電腦升級成Vista 所需要加裝的DRAM,因此一是升級(upgrade)市場的需求出籠,另一是更新電腦的需求,這兩處的需求商機加總相當值得期待。對整個DRAM 產業來說,未來2 年Vista 的換機和升級潮,是需求來源的主要利多。
◆NAND Flash 仍舊與DRAM 瓜分產能
至於NAND Flash,根據IDC 供給與需求報告預測,2007 年NAND 市場將成長15%,總營收為132 億美元,比起2007 年5 月份的預估增加11%,主要因為升級及低價帶動的需求將會造成2007 年其餘幾季市場的平衡或市場供應不足的現象。
長期來看,IDC 預測NAND Flash 在2011 年將以12%複合的年成長率(2007~2011),將營收提升至211 億美元,位元需求的複合年成長率將以100%成長,因為NANDFlash 的生命週期持續維持在成長期的高點。
至於對國內廠商的影響,DRAM 報價的持續探底,台灣記憶體廠為分散風險,正加快NAND Flash 產線的試產,其中茂德希望在2008 年下半年大舉量產,並趕上北京奧運的採購商機;力晶方面現已進入可靠度評價階段,最快可在2008 年上半年大舉投片,顯見本土自產的NAND Flash 產品,明年起將陸續大量問世。
對全球DRAM 晶圓廠來說,只要有能力都想搶進NAND Flash 市場,因為NAND Flash的銷售毛利率遠高於標準型DRAM,主流規格NAND Flash 的8Gb MLC 顆粒銷售毛利率已高達20%,反觀標準型DDR2 的512Mb 銷售毛利率到2007 年還處於虧損邊緣,因此就獲利角度來看就算調撥更多產能投產NAND Flash 也值得,例如先前Hynix 遇上60 奈米製程技術瓶頸,但為考量到兩項商品銷售毛利率,還是寧可多犧牲一點多投產NAND Flash,而不願增加標準型DRAM 投產片數。
DRAM 景氣起伏劇烈,產業常陷入供給過剩的危機中,為靈活調配產線,包括力晶與茂德均公開表示,要向韓系廠看齊,讓產線可在標準型DRAM 與NAND Flash間靈活調配,經過一年多的努力,終於開始將邁入開花結果期。
以茂德來說,目前正以中科的12 吋廠採70 奈米技術,進行4 Gb SLC 晶片與8 Gb MLC 晶片的試產,若一切順利,可望自2008 年下半起在中科的Fab 3 廠開始量產。茂德認為因為明年有北京奧運,屆時NAND Flash 的需求會很強勁,因此會盡量加快量產腳步,趕上奧運商機。
雖然茂德計畫先以中科廠作為最初量產NAND Flash的基地,但長線來說,則是計畫要在現有的竹科一廠(8 吋廠)投片。茂德規劃明年下半將竹科一廠設備搬遷到重慶廠後,該廠將變更為12 吋廠,並自2009 年起開始量產NAND Flash、影像感測器、小面板用驅動IC 等。
力晶方面目前在已在12A 廠以90 奈米投片生產4 Gb AG-AND 晶片,單月生產量已達兩千片,另外在通用規格的NAND Flash 方面,力晶自行開發的8 Gb 與4 Gb產品,現於12A 廠及12B 廠以70 奈米試產,並可望在年底前通過產品可靠度評價認證,最快2008 年首季便可大舉量產,另外50 奈米的工程試片也開始,預計2008 年下半量產。依據力晶估算,等到2008 年下半年以後,以達經濟規模門檻的50 奈米製程大舉產出NAND Flash,對業績貢獻會很顯著。
除此之外,力晶為因應未來在NAND Flash 領域的擴產需求,力晶已在竹科園區獲得二個新廠區的預定地,預計2007 年底動工,2008 年第四季水電等硬體基礎建設齊備,2009年首季開始移入機台,未來產能將相當可觀。
◆12 吋廠仍是勝出的主要關鍵
就2007 年12 吋廠與8 吋廠佔整體標準型DRAM 產業比重來看,2007 年將會大幅成長逾70%,與2006 年的逾50%相較,可說是有天壤之別。因為DRAM 廠一致認定擁有更多12 吋廠,將會是DRAM 廠在2008 年DRAM 景氣正式轉進「寒冬」的最佳武器,這也就是台廠為何到了2007 年下半依然拼命籌資也要蓋廠的主要原因。
就DRAM 廠在2007 年第一季的表現情況來看,擁有較高比重12 吋廠DRAM 業者,獲利就比競爭對手高出許多,台系DRAM 廠如力晶、茂德當時比重均已達到70%左右,而國際DRAM 廠中如海力士、美光的12 吋廠比重約有20%~30%,也因此在DRAM 製造成本上較台系DRAM 廠要高。因此一旦在製造成本上較高,只要2008年DRAM 景氣反轉向下,DRAM 廠成本如未能有效降低,獲利能力自然大幅縮減。
就市場需求面來說,也非12 吋廠不可,2007 年第一季PC 內部容量平均僅在900MB,第2 季則約1.1GB,到了第3 季及第4 季分別提高為1.2GB 及1.3GB,而如果下半年DRAM 售價無法降低的話,勢必將影響到PC 大廠採購意願,而為了要讓DRAM 售價降低,最直接是降低製造成本,而製造成本的降低,僅能仰賴大量的12 吋廠才有可能,這也就是為何一再強調12 吋廠是獲利的保證。
由於未來DRAM 的產業競爭決戰關鍵在於12 吋廠,台灣廠商當然不能也不會缺席,擴產進度相當積極,除了現有廠投片量逐月增加,在建廠的則快馬加鞭趕工,預估2008 年台灣將再增加五座12 吋DRAM 廠,連同現行已量產的七座,將高達12 座,密度高居全球之冠。
國內外DRAM 廠今年同步積極擴產,估計今年DRAM位元產出將較去年大增 7~8 成水準。而在當前DRAM 市況不佳,市場供過於求情況嚴重,各DRAM 廠對於明年擴產計畫多有所節制,因此預期明年DRAM 位元產出成長恐將大幅降至5~6 成。
根據估計,國內DRAM 廠力晶、南科、華亞科及茂德今年將共計投入新台幣2300億元以上龐大資金擴產,並將製程技術推進至70 奈米;國內各廠今年DRAM 位元產出同步大增逾 65%,其中華亞科增幅最大,達110%,南科位元出貨增幅最小,仍達 65%~70%水準;茂德位元產出增加約85%~86%;國內DRAM 龍頭力晶位元產出也增加達9 成。
而在國內外DRAM 廠大幅擴產,使得DRAM 市場供過於求情況嚴重,產品價格頻頻破底,以DDR2 512Mb ETT 為例,去年底仍有5.5 美元水準,今年最低僅剩不到1 美元,跌幅高達八成以上。
隨著產品價格大跌,DRAM 廠營運普遍面臨虧損窘境,包括力晶、茂德及南科三家國內DRAM 大廠今年第二季即合計虧損105 億元,雖然第三季虧損金額縮小,不過仍合計虧損65 億元。
為因應當前DRAM 市況不佳,各DRAM 廠已紛紛縮減明年資本支出,南科及華亞科明年資本支出將同步降至300 億元,其中南科減少幅度高達 5 成,華亞科減少幅度約33%;茂德初步規劃明年資本支出約 8 億美元,也將較今年減少達 57.3%。華亞科更表示明年並沒有新廠加入量產,新增產能將主要來自公司一、二廠製程技術轉換至70 奈米效益顯現,明年位元出貨量將較今年增加 5 成,成長幅度將較今年減少一半以上;茂德雖然新廠甫於今年第三季加入量產行列,目前月產能僅約 1.5 萬片規模,仍有不小擴充空間,不過公司初步規劃明年將僅擴增 1.5 萬片產能,達月產 3 萬片規模,也因此明年位元產出將增加5 成左右水準;南科則因有一座12 吋廠加入量產,明年DRAM位元產出增幅將較大,不過仍約8 成左右水準;而三星等國外DRAM 大廠明年DRAM產能並沒有擴張計畫,將主要仰賴製程技術推進貢獻。因此估計明年整體DRAM位元產出增幅將約5~6 成,不過根據集邦科技預估,明年DRAM 需求將僅成長 4成,整體DRAM 市場仍將難以擺脫供過於求的困境。
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