2005年對晶圓代工和DRAM廠來說是個不錯的「好年」，代工龍頭台積電（2330）營收下半年屢創新高，並顯著拉開與同業距離，儘管大陸晶圓廠後起之秀快速崛起，台積電仍展現一哥實力，市占率超過五成；對台積電、聯電（2303）等一線晶圓代工廠而言，2006年將聚焦於先進製程90奈米、65奈米客戶開發，也將跳脫傳統PC領域，開拓消費電子、通訊領域IC市場。
DRAM廠衝12吋產能
DRAM方面，2005年十足是個「上瘦下肥」的一年，去年上半年DRAM價格急跌在在考驗DRAM廠商降低成本、庫存控管能力，所幸第三季價格回升，加上三星、海力士等DRAM廠調撥產能生產快閃記憶體，供過於求得以獲緩衝，下半年力晶、南科、茂德皆得以獲利；展望2006年DRAM廠將衝刺12吋廠產能，並加速微縮90奈米以下製程。
台積電董事長張忠謀日前表示，半導體景氣2006年可望呈現高個位數成長（high-single digit），晶圓代工則平均較此成長率更高，今年PC景氣不錯，手機市場也令人意外，一年銷量高達7、8億支。台積電總執行長蔡力行則表示，蘋果電腦推出的iPod熱銷，給予半導體業者相當大的啟示，亦即消費性電子會是下一波成長動力，晶圓代工業者必須縮短進入市場的時間（time to market），才能掌握獲利機會（time to money）。
代工聚焦90、65奈米
市場認為，台積電將持續拉大與競爭對手差距，根據市場調查機構預估，台積電市占率已突破50%，儘管在競爭激烈的2005年，台積電仍遙遙領先對手，甚至今年毛利率有機會挑戰50%高點；而聯電方面，充分發揮轉投資「聯家軍」優勢，包括聯發科消費晶片、矽統PC晶片組、聯詠持續擴大LCD驅動IC市佔，皆是聯電8吋產能滿載的最大推手。
不過對於國內晶圓代工廠來說，產業競爭加劇是不爭的事實，中芯半導體亟欲跳脫DRAM產品線拓展邏輯IC代工，並提供IC設計業者優惠的成熟製程方案，對於特定IC設計業者的特定訂單具一定吸引力。
韓國三星也宣布重新進軍晶圓代工，並接獲第一大客戶高通（Qual comm）訂單，日本瑞薩、日立、東芝宣布合資晶圓代工廠，對國內晶圓代工再添勁敵。
台積電、聯電在90奈米練兵兩、三年也終於初見成果，台積電、聯電去年底90奈米比重皆可望攀升近20%，雙雄也加催65奈米量產共乘服務，新加坡特許半導體90奈米也接獲Xbox360 GPU訂單，中芯最快今年第一季量產，展望2006年仍是90、65奈米領風騷的一年。
DRAM廠則始終與時間、技術競賽，2005年上半年DRAM價格驟跌，國內DRAM廠中僅有兩家力晶、南科、華亞獲利，幸虧拜快閃記憶體Nand Flash之賜，三星、海力士、美光等紛紛將產能轉移至生產Nand Flash，有效紓解整體DRAM供過於求，加上第三季旺季需求回溫，DRAM價格再度反彈，茂德也終於自去年10月起轉虧為盈。
對於DRAM廠來說，前進12吋90奈米是一條必走的不歸路，力晶目前新竹兩座12吋廠，中科建地更足以容納四座廠區，預計今年第一季動工；南科在大股東台塑支持下也終於在泰山興建12吋廠；茂德中科雙子星廠區更已投入90奈米量產，華邦12吋廠更由英飛凌包下近半產能。
DRAM產業價格取決於供需，不過今年DRAM價格預測的變數更多了。DRAM龍頭三星表示，今年DRAM價格仍將續跌三成，多家市場調查機構iSuppli、Garnter、IDC皆預測今年DRAM 供過於求恐難免；不過也有偏中性樂觀的業者認為，今年記憶體產品組合增加，價格不見得很悲觀。
力晶董事長黃崇仁便表示，日、韓大廠將產能移轉至生產Nand Flash，台系業者適時投入的12吋廠產能得以出缺的日韓業者DRAM產能，因此整體產業不見得會出現嚴重的供過於求；茂德董事長陳民良也認為，記憶體產業今年由於Nand Flash熱賣，加上DDRI、DDRII 之間的轉換效應，使得市場供需及價格變數增加，對DRAM廠不至於直接受單一產品供需狀況衝擊太大。
DDRII可望躍居主流
DDRII去年受英特爾晶片組缺貨影響，一度因庫存造成價格下跌，不過展望2006年由於英特爾力拱DDRII晶片組加上微軟推出Vista新作業平台，256Mb規格將由512Mb取代，DDRII也可望在下半年躍居主流。
過去力晶與爾必達（Elpida）、茂德與海力士、南科、華亞及華邦與英飛凌結盟的三強鼎立，隨著Nand Flash光環亮過DRAM，國內DRAM廠也將進一步開拓Flash策略合作夥伴，Flash再掀產業風雲值得拭目以待。
留言列表
東森電商大補丸 (9)
