DRAM農曆年前走勢不淡，集邦科技（DRAMeXchange）昨（4）日最新現貨報價，512Mb有效測試顆粒（eTT）均價力守1美元關卡，1Gb顆粒更站穩2美元之上，為力晶（5346）等晶片製造商的營運增添助力。
受惠價格回升，力晶昨天公布元月營收54.42億元，較去年12月大幅成長25.6%。力晶表示，元月出貨明顯增加，且價格逐步從谷底反彈，是元月營收大幅成長的主因；此外，力晶的70奈米製程良率穩定提升，加上現有三座12吋晶圓廠產能全數開出，以及與日商爾必達（Elpida）合資興建的晶圓廠已達經濟規模，使得力晶的成本結構更加優化。
根據集邦報價，512Mb有效測試顆粒昨天午盤最低價重回1美元大關，均價達1.03美元，漲幅近1%，近一個月來均價已從0.8美元附近起漲，波段漲幅超過兩成；1Gb有效測試顆粒均價2.13美元，小漲0.63%，近月來漲幅也在兩成以上。
分析師指出，日前512Mb有效測試顆粒最低價曾跌破1美元，市場擔心受中國農曆年前補貨效應即將結束，價格面臨下殺壓力，但目前看來，農曆年期間，部分業者歲修減少產出，年前仍有買盤積極搶貨，價格走勢仍有支撐力道，顯示整體買氣並未中斷，年後恢復正常營業，可能還有一波新的補貨潮，有助價格持續穩定，帶動業者營運反轉向上。
DRAM業者對於價格走勢普遍樂觀，力晶董事長黃崇仁便直言「DRAM最壞的時間已經過去」，預期在這一波受擴產資金來源有限，而讓供給減少下，DRAM價格將一路向上，1Gb DDRII顆粒本季將在2.1至2.5美元震盪，第二季自2.5美元向上移動，下半年起將可彈升至3.5美元，第四季更可朝3.5美元以上發展。
南科也預期，DRAM谷底翻揚態勢確立，下半年市場更可能面臨供給吃緊的狀況，屆時1Gb DDRII顆粒合約價格可望由目前的1.8美元附近回升至2.5至3美元，漲幅約在四成以上。
DRAM現貨價格，在農曆年前仍維持穩定走勢，未如市場預期受到補貨潮結束的影響走低，不僅讓DRAM廠營運獲得喘息，且現貨價格波動較大，是市場行情的領先指標，目前DRAM族群股價普遍跌破淨值，隨著基本面可望逐漸好轉，中長期投資價值已陸續浮現，可望穩定股市投資人信心，讓DRAM族群人氣再起。
台股封關日大漲，當天DRAM族群走勢卻普遍表現平平，僅茂德（5387）小漲收市，力晶（5346）、南科（2408）都以平盤做收，華亞科（3474）更逆勢收黑，透露市場擔心封關後D RAM價格走勢不確定性，而不願抱股過年，如今價格有支撐力道，DRAM股可望成為年後開盤帶領大盤走勢的要角。
事實上，今年各大DRAM廠在資本支出上多採保守態勢，在擴產相對節制下，價格逐步回溫，長線相當值得期待。但對業者而言，今年主力將在更困難的70奈米製程大量生產，藉由增加單位產出，降低成本，伴隨價格回穩，也可望走出去年大賠的陰霾。
只不過，近來中國大陸雪災嚴重，年後的電子廠商外銷出貨，將直接影響台灣DRAM廠商庫存去化速度，未來這一個月，中國大陸市場能否迅速回穩，將是DRAM廠第一季營收的重要觀察指標。
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