DRAM最近在日本爾必達（Elpida）、韓國三星、南科等釋出將調漲合約價的消息後，儘管不少法人仍抱持觀望心態，但上周四（3日）沈寂已久的現貨價卻出現急彈，1Gb DDRII漲幅逼近2%，讓這次「漲價風」似乎有了好的開始，也使DRAM價格本周走勢，備受矚目。
DRAM業者表示，512Mb DDRII市場目前根本就是「殺戮戰場」，由於生產512Mb DDRII的技術已臻成熟，良率普遍在九成以上，市場供給不會短缺，漲價空間有限。
對業者而言，現階段以70奈米以下先進製程生產的1Gb DDRII，才是這波漲價主力。由於各家發展70奈米製程技術不一，市場供給狀況並不穩定，爾必達社長坂本幸雄便直言：「1Gb市場供給已有缺口出現。」
此外，Vista新版主推2Gb以上DRAM搭載容量，在主機板擴充槽有限下，1Gb後勢好過512Mb；加上1Gb容量是512Mb的兩倍，卻少了一次封測與基板支出，有利精簡成本。換句話說，誰能夠掌握70奈米生產優勢，相對就擁有議價優勢。
不過，DRAM業者雖想漲價，客戶端是否「買帳」，更是重要關鍵。集邦科技就認為，唯有大廠停止產能擴張競賽，才能使價格回歸基本面，否則業者只是將淘汰賽轉變為延長賽，仍不利DRAM行情中長期表現。
若觀察DRAM近來價格走勢，簡直只能用「暴跌」來形容。根據集邦科技（DRAMeXchange）調查，以512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）報價為例，去年第二季初均價約2.65美元，之後便大幅修正，一個半月內下探至1.35美元附近，去年6至8月曾出現強彈，重新站回2美元，但此後價格便不再回溫，去年底一度下探0.74美元附近的歷史新低，如今雖有回穩，但始終無法站穩1美元大關。
1Gb DDRII在去年第三季逐漸打入市場後，報價走勢也讓人不忍卒賭，當時每顆1Gb DDRII有效測試顆粒身價還有3.8美元，去年10月中過後價格修正即有如「瀑布般」下墜，去年底僅剩1.55美元，今年農曆年前曾反彈重回2美元，但僅曇花一現，農曆年過後便回檔至2美元以下。
現貨價暴跌，也拖累合約市場價格走勢，512Mb DDRII合約價一路由去年第二季初的2.5美元附近，下修至目前的約0.91美元；1Gb DDRII也由去年10月的3美元，一路退守到目前均價約1.81美元附近。
外資券商法銀巴黎證券認為，4月通常是每年DRAM需求最弱的時點，加上市場仍供過於求，大廠醞釀漲價未必能獲得共鳴，卻可視為記憶體產業景氣觸底反彈的指標。
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