農曆年前回補庫存買盤回流，DRAM顆粒價格自上週五出現反彈，累計漲幅已逾八％。集邦科技指出，新年開春第一周，DRAM現貨價維持狹幅整理的格局，並於第二週開始反彈。由於DRAM報價趨勢已顯示築底完成，DDR2 512Mb可望站上一美元關卡。
四大DRAM廠法說會日期相繼定案，下週二（廿二日）南亞科、華亞科率先登場；茂德、力晶接棒，分別於廿九日、卅日召開，公布去年自結數字及今年營運規劃。
DRAM族群昨（十五）日即在現貨反彈、法說行情加溫下，攜手勁揚，華邦電、華亞科、茂德、創見、勁永及友旺，強勢拉出半根漲停板。
集邦科技指出，品牌顆粒DDR2 512Mb均價在去年十一月廿八日打出第一支腳，接著反彈四．三％，並於十二月十一日打了第二支腳，形成了一個完整的W底，從去年年底開始在○．九二美元至○．九五美元築底。
值得注意的是，目前單顆DDR2 1Gb與兩顆512Mb的價差已低於一％，顯示現貨市場1Gb的供應量大增。由於單顆1Gb至少可節省後段封測的成本○．三美元至○．五美元，相較於兩顆512Mb成本；DRAM廠加速生產1Gb將為降低成本的最迅速方法。
集邦科技認為，一月上旬DRAM合約價止跌回穩，接連帶動現貨市場中的DDR2顆粒的價格攀升，加上中國農曆年前市場需求可望走強，DDR2 512Mb品牌顆粒有機會於一月底，或農曆過年前率先回到一美元以上。
此外，一月下旬或二月初DRAM廠將進行歲修計劃，其中，台系廠茂德將實施歲修長達兩周，降低DRAM三月總產出，加上PC銷售在三月預計會微幅向上，有利DDR2價格回升一．二美元。
一旦在第二季前，有DRAM廠商正式宣告部份停產或是降低資本支出，DDR2 1Gb有機會突破二．五美元，DRAM廠可望告別虧損窘境。
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