DRAM現貨價格再現曙光,512Mb DDRII有效測試顆粒(eTT)均價本周(24-28日)以來大漲近一成,出乎業者原預期,集邦科技(DRAMeXchange)27日報價,512Mb DDRII有效測試顆粒價格最高衝上0.95美元,年底前可望收復1美元關卡。

業界認為,目前需求確實有比預期好些,但「作帳行情」才是推升價格上揚的主力。

分析師指出,12月整體DRAM合約價已下修逾一成,反應前波現貨價大跌影響,如今現貨價格回穩,也將激勵合約價往後止跌,不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣,包括南科、茂德等合約市場比重高的DRAM廠,也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳,原廠與模組商受到庫存跌價影響,近期不再低價拋售,以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失,正因如此,這兩個月下跌逾五成的DDR,近期出現可觀反彈,重新挑戰1美元的價位。

但就近幾天價格回彈來看,應該與耶誕節前客戶降低庫存水位,如今假期邁入尾聲,陸續回補庫存所致,至於能否真的在年底前重新站回1美元大關,目前採「審慎樂觀」態度面對。

先前力晶集團董事長黃崇仁表示,明年3月DRAM需求可望回溫。

業者表示,農曆春節科技產品買氣被寄予厚望,大陸1月DRAM及快閃記憶體備料,以及2月春節過後的補貨行情近期帶動市場買氣,由於第一季進入晶圓廠歲修階段,實際產出顆粒將明顯短少,加上碰上中國農曆年買氣出籠,後勢價格將審慎樂觀。

集邦科技最新報價,512Mb DDRII有效測試顆粒價格離1 美元關卡近在咫尺,均價也站穩0.9美元以上,過去一周(24-28日)來由0.8美元附近起漲,漲幅近一成。

現貨價格反彈,業者營運壓力大減。力晶(5346)現貨市場出貨比重最高,將率先受惠。27日股價上漲0.35元、收12.9 元,成交量近3.7萬張。

包括南科(2408)、茂德(5387)、華亞科(3474)等27日股價也群起收紅;先前股價跌深的下游記憶體模組廠走勢更是強勁,威剛(3260)、勁永(6145)都曾攻上漲停,創見(2451)也大漲逾5%。

集邦認為,台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進行歲休,可望成為「變相減產」,減少產出幅度約在10%至25%,有助明年第一季DRAM價格反彈。目前已有奇夢達宣布歐洲地區少量減產,將有助減少市場供給,有利價格走勢。

arrow
arrow
    全站熱搜

    咖啡王子 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()