DRAMeXchange（集邦科技）表示，終端消費買氣疲弱，DRAM合約、現貨報價聯袂跌破1美元，DRAM廠第四季開始至明年首季，陸續展開減產、歲休計畫，以協助DRAM價格止跌、反彈。考量產業減產效應持續發酵，預估明年DRAM市場供過於求幅度，可望較今年9.57％縮減至7.6％。
為節省成本、提高產出，DRAM業者積極朝向下一代製程技轉邁進，目前已有部份廠商少量產出DDR3。
集邦科技指出，英特爾、AMD等晶片大廠積極主導，將於明年推出多款支援DDR3的新款CPU，有助DDR3滲透率提高，預估明年第四季DDR3市占率可達27.5％，約較今年3％大幅成長。不過，雖然明年DDR3產出量將可較今年成長，預估明年桌上型電腦（DT）搭載量恐將僅有20％、NB將約24.3％。
此外，NAND Flash在市場仍是供過於求、價格持續低檔，明年NAND Flash產出將趨緩，推估明年整體NAND Flash產業位元成長率僅93％，將較去年151％、今年125％明顯降低。其中，12吋Flash產出量僅30％，8吋廠的產出量則是年衰退50％。
觀察國內、外記憶體大廠明年NAND Flash的位元成長率，集邦預估，明年三星為位元成長率90％，Toshiba（東芝）約110％、120％，英特爾與美光共同合資的IM Flash 90％至110％，海力士則因製程問題，位元成長率將年減5％至10％。分析師認為，雖然明年DRAM產業供需雖可逐漸好轉，但仍無法改變供過於求的態勢，相關廠商營運壓力也將持續沉重。
雖然美光入股有助於華亞科後續往50nm先進製程發展，不過，華亞科對明年轉進Micron技術所需資本支出投入，及先切入68nm或是直接投入54nm目前為止尚未定案；屆時，營運調整之損失是否超乎預期，加重虧損壓力，成為追蹤焦點。
考量華亞科技術轉換的不確定因素，以及目前合約市場DRAM價格仍有相當潛在跌幅，維持保守投資看法。
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