不過，南科與華亞科均認為，DRAM市況正從底部翻揚，南科更認為合約價會持續看漲，短期漲幅可由目前的個位數百分比倍增至兩位數百分比以上，第二季整體價格可較上季成長二至三成，明年更有供給不足的疑慮。
南科與華亞科23日舉行法說會，公布首季財報，受DRAM價格大跌影響，南科首季毛損率由前一季的29%擴大至50%，稅後淨損87.83億元，每股淨損1.88元；華亞科稅後淨損41.82億元，每股淨損1.25元，創公司創立以來虧損最大紀錄。
儘管首季財報難看，但華亞科總經理高啟全認為：「DRAM谷底向上爬的時間點已到，目前正在暖車狀態，5、6月反彈力道將更顯著。」
看好市況發展，華亞科正積極將製程轉換至70／75奈米，預計下半年起將月產能12萬片全數轉換成最先進製程投片，屆時華亞科產出可大幅增加以迎接市況需求，估計全年位元產出成長率（bit growth）可達五成以上。配合製程轉換資金需求，華亞科預計在年底透過發行海外可轉債（ECB）募資，額度約在100億元左右。
南科發言人白培霖表示，目前PC代工大廠已開始為下半年旺季需求備料，使合約市場開始有缺貨現象，南科已陸續針對客戶漲價，估計短期漲幅可提高到10%以上，第二季整體價格可望比第一季上漲20%到30%。
白培霖透露，目前以1Gb DDRII需求最強勁，在部分晶片製造商提升製程時造成良率下滑，致影響供給等因素帶動下，供給已開始吃緊，是價格最近得以上漲的主因，由於DRAM廠今年普遍保守擴產，因此下半年不僅供給緊俏，不少代工大廠已開始擔心明年DRAM將供不應求。
白培霖表示，南科第二季位元成長率約在10%到20%左右，不過目前12吋廠投片順利，每月約在3萬片左右，年底前可望導入美光的68奈米新製程，明年再轉進50奈米，在12吋廠產出穩定下，今年南科位元成長率可達65%左右。
南科今年資本支出維持400億元不變，下半年將有百億元的募資計畫。
一天賠3億 DRAM還難逆轉勝
第一季DRAM市況低迷，本土四大DRAM廠虧損單季虧損恐達300億元，相當於一天就賠了約3億元，相較先前市況好時一天可賺1億元，實有天壤之別，也讓市場深切感受到DRAM產業劇烈波動的特性。
隨近期DRAM價格開始有回揚態勢，原本士氣「盪」到谷底的業者開始轉趨樂觀，預期價格將持續走揚，但就目前價格來看，短期內要達到賺錢的目標，還有一段距離。
南科便不諱言：「目前狀況仍像是在十公尺深的水中，要浮出水面，還要一段時間。」短期價格回揚，只能讓虧損縮小，要真正要獲利，除了價格上漲外，還是得靠製程微縮降低成本才行。
上游晶片廠仍在極力擺脫虧損之際，下游模組業者則可望早一步「出運」。
由於DRAM前一波的大跌，不少模組廠營運與晶片廠一樣低潮，但近期NAND Flash價格率先急漲約四成，在DRAM價格也將回彈下，短期內模組廠營運可望先露出曙光。
黃崇仁：力晶下季拚損益兩平
力晶（5346）董事長黃崇仁23日表示，DRAM價格上揚態勢確立，1Gb DDRII顆粒下個月就能回到2美元以上，第二季則會在2美元到2.5美元間遊走。
他認為：「DRAM產業最壞季節已過。」預期力晶第二季虧損將縮小，第三季有機會損益兩平。
力晶23日舉行法人說明會，公布首季財報，因DRAM價格大跌，自結毛損率為58%，營業淨損率68%，稅後虧損97.44億元，但比去年第四季的141億元大幅減少，首季每股虧損1.25元。
黃崇仁表示，力晶虧損最嚴重的時間已過，第一季70奈米製程已經占到八成，預期第二季將提升到95%，且力晶已幾乎不做賠本的512Mb產品；65奈米製程在第二季試產與小量量產後，下半年估計可占到五成，有利恢復單季盈利。
他說，首季雖虧損約97億元，但淨現金流出僅約19億元，比去年第四季的47億元明顯減少，第二季雖然將虧損，但將轉回淨現金流入。
力晶總經理謝再居則表示，力晶首季位元出貨增加23%，第二季將可再成長17%，今年加上瑞晶產出貢獻後，估計全年位元出貨可以比去年成長65%。他說，力晶今年資本支出計畫仍約340億元，其中七至八成都會用來改進70奈米與65奈米製程。
黃崇仁23日也公布旗下子公司瑞晶與鉅晶的近況；他說，瑞晶首季營收50億元、虧損約4億元，但3月已轉虧為盈，預期第二季財報將為正數，將是第二季國內唯一獲利的DRAM廠，還可能是今年全球除了三星外，唯一獲利的DRAM廠。但這也意味，力晶等其他DRAM廠今年將難逃虧損命運。
鉅晶在4月獨立後，目前資產約75億元、員工1,200人，目前每月投片量已達2萬多片，預期到第四季總產能就能達到每月3.5萬片，將積極為國際IDM客戶代工生產液晶面板驅動IC、電源管理IC和影像感測元件等。
力晶首季並無匯損，反而有匯兌利益約1.9億元，23日小漲0.05元，終場收12.45元，成交量43,381張。
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