根據IDC 報告預測，2007 年整體DRAM 市場將萎縮1%，總營收為336億美元，比起2007 年5 月份的預測值增加3%。價格上的變動帶動比Vitsta更具規模的需求量，但是日益增加的供應壓力仍將壓過需求。
2008 年12 吋改版及具挑戰性的70nm製程微縮的供應壓力將比預期更多。IDC 對於到2008年為止市場修正將不會減緩，且對於在2007 年底將有短暫平衡的預測仍維持不變。
在2008 年成長3%之後，下一次的恢復循環將於2009 年開始。IDC 預測2007~2011 年期間DRAM 市場的複合年成長率為7%，且在2011 年營收將為447 億美元。
全球DRAM 市場2007 年下半年的變動，除了要考量到需求端因素外，更重要的在於全球DRAM廠總產出量的Bit Growth幅度也是影響下半年全球DRAM 市場好壞的重要因素之一，目前看來07 下半年所有DRAM 廠為能迎合Vista 及Xbox 360 與PS3 甚至是Wii 等遊戲機大廠龐大需求，無不卯足全力投產，到了2007 年第三季在繪圖用DDR 記憶體的供應量成長幅度有明顯增加趨勢，第三季成長幅度便已逾45%，與2007 年的第一季的-1.5%與第二季的20.2%相較，成長相當驚人。
至於在手機用記憶體部分，同樣見到手機市場下半年的強勁需求，成長幅度也相當驚人，2007 年第三季如就手機用記憶體佔所有DRAM 總產能比重來看，第三季手機記憶體佔總供應量約7.7%，這與第二季的7%相較仍舊持續出現成長，但到了第四季受到消費性電子產業需求旺季，使得手機需求也同步加溫，因此第四季手機用記憶體比重更進一步成長至8.3%左右，DRAM 廠標準型DRAM 也讓這批手機用記憶體搶走不少產能。
DRAM 記憶體供應商在07 年第三季開始消減產量，這將對DRAM 市場的景氣有長遠而重大的影響。不過，iSuppli 仍然認為在第四季DRAM 記憶體的價格會較第三季下跌超過10%，而且供應商的獲利也會隨之下滑。
電腦OEM 廠和通路業者仍在消化今年以來累積的高庫存量，這使得DRAM 記憶體製造商將面臨慘澹的第四季。此外，LCD 面板缺貨的狀況也將影響某些個人電腦製造商採購DRAM 記憶體的意願，LCD 面板價格上漲也壓抑了第三季個人電腦內DRAM 記憶體容量成長的幅度。
而另一個在第四季必須面臨的問題，則是在不久之前，南韓三星電子的NAND Flash 工廠因停電而造成減產的事件，這迫使三星電子必須轉移部份DRAM 記憶體的產能，改為生產NAND Flash。
iSuppli 預估，2007 年全球的DRAM 記憶體產量將激增97%，2008 年成
長率減緩至60%以內，將有助於保持市場供需狀況的平衡。但另一家市場研
究公司IC Insights 對DRAM 記憶體市場的看法則有不同觀點，IC Insights 認
為DRAM 記憶體市場雖然在2007 年上半年呈現率退的現象，但在下半年已
有好轉，並且將會繼續向上攀升，IC Insights 並且預估今年DRAM 記憶體產
量將會成長81%。
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Ø 2008 年需求推動來自等待已久的微軟新作業系統Vista
由於Vista 標榜為64 位元的作業系統，所代表的意義是指其處理速度比現有的32 位元更快，英特爾與超微等ＣＰＵ廠商為了配合下一個64 位元世代的來臨，也推出相對應的64 位元CPU 來因應，例如超微的Athlon 64 桌上型處理器、Sempron 和Turion 64，以及英特爾的Itanium 2、Core 2 Duo(Conroe)、Core 2 Duo(Merom)等。由於Vista 作業系統運算資源龐大，大
多數建議使用者最好採用新一代雙核心的中央處理器，才可以讓整體效能運
作順暢，加上記憶體至少要在1G 以上，使得消費者對DRAM 需求大幅增加。
就DRAM 產業而言，在這次的Vista 新系統出現之前，平均每台新購買的PC 搭載的記憶體容量約650MB~700MB，有了Vista 商機的加持，每台PC搭載記憶體的容量至少1GB，約在1.1GB~1.2GB 之間，兩者比較成長幅度就超過50%；另外還必須加上原本舊電腦升級成Vista 所需要加裝的DRAM，因此一是升級(upgrade)市場的需求出籠，另一是更新電腦的需求，這兩處的需求商機加總相當值得期待。對整個DRAM 產業來說，未來2 年Vista 的換機和升級潮，是需求來源的主要利多。
Ø NAND Flash 仍舊與DRAM 瓜分產能
至於NAND Flash，根據IDC 供給與需求報告預測，2007 年NAND 市場將成長15%，總營收為132 億美元，比起2007 年5 月份的預估增加11%，主要因為升級及低價帶動的需求將會造成2007 年其餘幾季市場的平衡或市場供應不足的現象。
長期來看，IDC 預測NAND Flash 在2011 年將以12%複合的年成長率(2007~2011)，將營收提升至211 億美元，位元需求的複合年成長率將以100%成長，因為NAND Flash 的生命週期持續維持在成長期的高點。至於對國內廠商的影響，DRAM 報價的持續探底，台灣記憶體廠為分散風險，正加快NAND Flash產線的試產，其中茂德希望在2008 年下半年大舉量產，並趕上北京奧運的採購商機；力晶方面現已進入可靠度評價階段，最快可在2008 年上半年大舉投片，顯見本土自產的NAND Flash產品，明年起將陸續大量問世。
對全球DRAM 晶圓廠來說，只要有能力都想搶進NAND Flash 市場，因為NAND Flash的銷售毛利率遠高於標準型DRAM，主流規格NAND Flash的8Gb MLC 顆粒銷售毛利率已高達20%，反觀標準型DDR2 的512Mb 銷售毛利率到2007 年還處於虧損邊緣，因此就獲利角度來看就算調撥更多產能投產NAND Flash也值得，例如先前Hynix 遇上60 奈米製程技術瓶頸，但為考量到兩項商品銷售毛利率，還是寧可多犧牲一點多投產NAND Flash，而不願增加標準型DRAM 投產片數。
DRAM 景氣起伏劇烈，產業常陷入供給過剩的危機中，為靈活調配產線，包括力晶與茂德均公開表示，要向韓系廠看齊，讓產線可在標準型DRAM與NAND Flash間靈活調配，經過一年多的努力，終於開始將邁入開花結果期。
以茂德來說，目前正以中科的12 吋廠採70 奈米技術，進行4 Gb SLC晶片與8 Gb MLC 晶片的試產，若一切順利，可望自2008 年下半起在中科的Fab 3廠開始量產。茂德認為因為明年有北京奧運，屆時NAND Flash的需求會很強勁，因此會盡量加快量產腳步，趕上奧運商機。
雖然茂德計畫先以中科廠作為最初量產NAND Flash的基地，但長線來說，則是計畫要在現有的竹科一廠(8 吋廠)投片。茂德規劃明年下半將竹科一廠設備搬遷到重慶廠後，該廠將變更為12 吋廠，並自2009 年起開始量產NAND Flash、影像感測器、小面板用驅動IC 等。
力晶方面目前在已在12A 廠以90 奈米投片生產4 Gb AG-AND 晶片，單月生產量已達兩千片，另外在通用規格的NAND Flash方面，力晶自行開發的8 Gb 與4 Gb 產品，現於12A 廠及12B 廠以70 奈米試產，並可望在08年首季便可大舉量產，另外50 奈米的工程試片也開始，預計2008 年下半量產。
依據力晶估算，等到2008 年下半年以後，以達經濟規模門檻的50 奈米製程大舉產出NAND Flash，對業績貢獻會很顯著。除此之外，力晶為因應未來在NAND Flash領域的擴產需求，力晶已在竹科園區獲得二個新廠區的預定地，2007 年底動工，2008 年第四季水電等硬體基礎建設齊備，2009 年首季開始移入機台，未來產能將相當可觀。
Ø 12 吋廠仍是勝出的主要關鍵
就2007 年12 吋廠與8 吋廠佔整體標準型DRAM 產業比重來看，2007年將會大幅成長逾70%，與2006 年的逾50%相較，可說是有天壤之別。因為DRAM 廠一致認定擁有更多12 吋廠，將會是DRAM 廠在2008 年DRAM景氣正式轉進「寒冬」的最佳武器，這也就是台廠為何到了2007 年下半依然拼命籌資也要蓋廠的主要原因。
就DRAM 廠在2007 年第一季的表現情況來看，擁有較高比重12 吋廠DRAM業者，獲利就比競爭對手高出許多，台系DRAM 廠如力晶、茂德當時比重均已達到70%左右，而國際DRAM 廠中如海力士、美光的12 吋廠比重約有20%~30%，也因此在DRAM 製造成本上較台系DRAM 廠要高。因此一旦在製造成本上較高，只要2008 年DRAM 景氣反轉向下，DRAM 廠成本如未能有效降低，獲利能力自然大幅縮減。
就市場需求面來說，也非12 吋廠不可，2007 年第一季PC 內部容量平均僅在900MB，第二季則約1.1GB，到了第三季及第四季分別提高為1.2GB 及1.3GB，而如果DRAM 售價無法降低的話，勢必將影響到PC 大廠採購意願，而為了要讓DRAM 售價降低，最直接是降低製造成本，而製造成本的降低，僅能仰賴大量的12 吋廠才有可能，這也就是為何一再強調12 吋廠是獲利的保證。
由於未來DRAM 的產業競爭決戰關鍵在於12 吋廠，台灣廠商當然不能也不會缺席，擴產進度相當積極，除了現有廠投片量逐月增加，在建廠的則快馬加鞭趕工，預估2008 年台灣將再增加五座12 吋DRAM 廠，連同現行已量產的七座，將高達12 座，密度高居全球之冠。
國內外DRAM 廠今年同步積極擴產，估計今年DRAM 位元產出將較去年大增 7~8 成水準。而在當前DRAM 市況不佳，市場供過於求情況嚴重，各DRAM 廠對於明年擴產計畫多有所節制，因此預期08 年DRAM 位元產出成長恐將大幅降至5~6 成。
根據估計，國內DRAM 廠力晶、南科、華亞科及茂德今年將共計投入2300 億元以上龐大資金擴產，並將製程技術推進至70 奈米；國內各廠07 年DRAM 位元產出同步大增逾 65%，其中華亞科增幅最大，達110%，南科位元出貨增幅最小，仍達 65%~70%水準；茂德位元產出增加約85%~86%；國內DRAM 龍頭力晶位元產出也增加達9 成。而在國內外DRAM 廠大幅擴產，使得DRAM 市場供過於求情況嚴重，產品價格頻頻破底，以DDR2 512Mb ETT 為例，06 年底仍有5.5 美元水準，07 年最低僅剩不到1 美元，跌幅高達八成以上。
隨著產品價格大跌，DRAM 廠營運普遍面臨虧損窘境，包括力晶、茂德及南科三家國內DRAM 大廠07 年第二季即合計虧損105 億元，雖然第三季虧損金額縮小，不過仍合計虧損65 億元。為因應當前DRAM 市況不佳，各DRAM 廠已紛紛縮減明年資本支出，南科及華亞科明年資本支出將同步降至300 億元，其中南科減少幅度高達 5 成，華亞科減少幅度約33%；茂德初步規劃08 年資本支出約 8 億美元，也將較今年減少達 57.3%。
華亞科更表示08 年並沒有新廠加入量產，新增產能將主要來自公司一、二廠製程技術轉換至70 奈米效益顯現，08 年位元出貨量將較今年增加 5 成，成長幅度將較今年減少一半以上；茂德雖然新廠甫於07 年第三季加入量產行列，目前月產能僅約 1.5 萬片規模，仍有不小擴充空間，不過公司初步規劃08 年將僅擴增 1.5萬片產能，達月產 3 萬片規模，也因此08 年位元產出將增加5 成左右水準；南科則因有一座12 吋廠加入量產，08 年DRAM 位元產出增幅將較大，不過仍約8 成左右水準；而三星等國外DRAM 大廠08 年DRAM 產能並沒有擴張計畫，將主要仰賴製程技術推進貢獻。
因此估計08 年整體DRAM 位元產出增幅將約5~6 成，不過根據集邦科技預估，08 年DRAM 需求將僅成長 4 成，整體DRAM 市場仍將難以擺脫供過於求的困境。
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