台股5日開低震盪走高，DRAM股在現貨報價大漲帶動下，群起亮燈漲停，成為盤面最亮眼的多頭指標，領軍大盤跟隨亞股漲勢成功克服月線反壓。分析師指出，台股站上月線後，短多仍有優勢，要繼續往前波8800點跳空缺口邁進，但要擺脫11月分盤跌格局，成交量能還是要放大。
美股下跌，但5日亞股盤堅，台股也在電子股推升下續彈，終場以8676.95點收盤，上漲25.67點，成交值1173.49億元；本土法人自營商與投信持續偏多，外資則終止連2日賣超，12月首見單日買超8.15億元，三大法人合計買超31.15億元。
日盛投顧認為，從量價結構來看，上半周出現量縮但卻上漲的狀況，顯示整個市場對於反彈行情仍相當謹慎，但也代表下殺力道轉弱。因此，短期而言盤整或盤堅格局不致改變，因此，成交量能不能持續溫和放大，對反彈幅度大小很重要。
台股5日初步站上月線，根據統計，截至12/5日止，共有323檔股票連續三天站穩月線，其中三大法人近一周買超最多的前20名個股中，電子股有11檔，其中以防禦型股票的中華電最受法人青睞，三大法人近一周買超逾七萬張。
此外，外資概念股的元大金也是金控股中的強勢股，近一周三大法人合計買超逾4.4萬張，而跌深的IC設計、封測股南電、矽品等，也是相對強勢且法人持續站在買方。
分析師指出，從本周的整體成交比重來看，電子佔七成以上，市場人氣回流到電子股，不過，在量縮的格局中，指數持續震盪盤堅的反彈走勢，所以技術面站上月線且守住。
由於現階段股市氣氛仍趨保守，價值型個股容易抬頭，可尋求明年成長力道佳，但本益比已回落至低檔集團股，現金股利率高者為首選，中概股似有打底完成的跡象，可擇優介入。
不過，群益證券指出，量縮代表市場的謹慎心態，同時也是籌碼的逐步沉澱走勢，但由於前波嚴重套牢，因此近期盤面將由惜售等待解套的心理所主導，反應在指數上就是價漲量縮，追價力道較不足，在此種格局下，反彈空間不會太大，上檔8800─9000將是明顯壓力區。
DRAM現貨價格吹起強勁反彈號角，激勵DRAM族群昨（五）日爆量強攻表態；其中DRAM製造商方面，已跌破淨值的力晶(5346)、茂德(5387)率先反彈漲停，南亞科（2408）、華邦電（2344）及創見（2451）等模組廠悉數跟進，共十檔個股漲停收紅。分析師表示，近期DRAM籌碼配合條件還不錯，族群短線以力晶、茂德為指標，只要這二檔標的量能能持續放大，且籌碼控制得宜，DRAM廠與模組廠股價應可延續彈升走勢。
今年跌幅最深的DRAM族群，昨日挾報價勁揚利多激勵，股價漲幅最激烈；包括南亞科、茂德，力晶、華邦電攻抵漲停，連帶DRAM模組廠商創見、威剛、勁永、品安、商丞、宏連科以及宏億等亦全數亮燈漲停，成為推進電子股、大盤攻堅的主力之一。
DDR2 512MB 533MHZ現貨價格近半年跌幅五七．六％，DARM族群股價也因利空衝擊，頻頻下探；以力晶為例，股價從七月高點一八．七三元下跌至一一元，波段跌幅四一．三％，拉回修正空間不亞於DRAM現貨價下跌速度。
投信法人指出，觀察十一月二十八日DRAM價格止跌反彈至今，DRAM族群股價表現。期間反彈以DRAM製造商與模組廠商上漲幅度最大，普遍約有二根停板以上漲幅，DRAM封測廠商漲幅相對落後，顯示股價跌幅深者，反彈力道相對可期。因此，DRAM族群在反彈過程中量能是否持續接替，成為反彈氣勢的重要關鍵。
以法人籌碼分析，近期外資、投信不約而同加碼佈局力晶、茂德，且近期融資亦明顯減少，而力晶近期融券更是出現明顯增加。整體來說，近期DRAM的籌碼大致上配合的還不錯，短線族群以力晶、茂德為攻堅指標，只要這二檔個股近期量能能持續放大且籌碼面的控制得宜，DRAM族群可望走出一波漲勢。
在DDR2現貨報價出現五％漲幅激勵下，昨日DRAM現貨市場再度伴隨搶近回補買盤推升，再度刷新半年來單日新高漲幅；一周內反彈幅度近二○％。其中，DDR2 1Gb ETT現貨報價大漲一○．四二％，成功收復一．九美元關卡；DDR2 512Mb ETT則是續揚四．六五％，均價跨越○．九美元整數關卡。對此南亞科表示，十一月底在Micron的Quarter End結束後，市場拋貨壓力較為減輕，也是合約市場上另一個較正面的因素。
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