2008年3月3日，美光（Micron）與南亞科技共同簽署合作意向書（MOU），雙方將共同研發50 奈米製程以下的DRAM技術及產品設計，且將合組合資公司，預計數月後簽訂正式合約。
南科目前在DRAM領域的合作夥伴為奇夢達（Qimonda），採溝槽式技術，隨著南科與美光建立關係，與奇夢達的合作將至58奈米止，正式退出溝槽式DRAM技術陣營。這是南科成立以來，歷經OKI（沖電氣）、IBM、英飛凌（奇夢達分割前的母公司）後，第四度更換合作夥伴，再度重返堆疊式DRAM技術陣營。
2007年全球DRAM市場供給過剩，導致全球DRAM相關業者出現嚴重虧損，加上DRAM先進製程研發金額及12吋晶圓廠投資金額龐大，由單一家廠商負擔之風險甚高，因此大部分DRAM 廠商已採取策略聯盟之策略，這次美光也從過去單打獨鬥的模式到與南科策略聯盟，DRAM產業板塊已見重整移動跡象。
目前全球前五大DRAM廠商為三星（Samsung）、海力士（Hynix）、奇夢達（Qimonda）、爾必達（Elpida）及美光（Micron）。
若以聯盟關係來看，目前有五大聯盟：1.三星：以自主研發為主；2.海力士、茂德；3.爾必達 力晶、 瑞晶、中芯（代工）；4.奇夢達、南科、華亞科、華邦（代工）、中芯（代工）5.美光。若以DRAM技術來看，目前只有奇夢達聯盟是以溝槽式為主，其餘是以堆疊式技術為主。
未來的聯盟變化，很可能成為四分天下：1.三星：仍以自主研發為主。2.海力士：與茂德的合作關係可能生變。3.爾必達、力晶、瑞晶可能再加上茂德。4.美光、奇夢達、南科、華亞科、 華邦（代工）、中芯（代工）。四大DRAM聯盟市佔率趨於平均25%。隨著市場供需趨於穩定, 將有利於台廠在日美歐大廠的結盟戰略伙伴地位， 並一舉超躍韓廠（純IDM）市占率。
2007年全球DRAM市場有324億美元，是最大的記憶體產品區塊，不可忽視，而發展最具潛力的NAND Flash有159億美元，為第二大記憶體產品，未來在影音儲存及固態硬碟需求帶動下，成長性大於DRAM。因此台灣可用DRAM相同的合作模式，與國際大廠合作發展NAND Flash產品與技術，除了可分散產品著重在DARM的分險外，也可以像國際大廠一樣具有DRAM及NAND Flash產能互相調配的優勢。建議政府可持續投入研發資源，獎勵DRAM及NAND Flash往32nm以下先進製程發展。
而此次美光與南科合作，南亞科除獲得DRAM技術推展新方向，為既有溝槽式（Trench）製程解套外，加上美光近年來將重心轉向NAND Flash，南科與美光合作應藉機爭取NAND Flash的技轉及代工，為明年開出之12吋廠龐大產能預求出路， 並強化我國記憶體產業的整體競爭力。
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