什麼是 LTPS ?
Polysilicon (多晶矽) 是一種約為0.1至數個um大小、以矽為基底的材料，由許多矽粒子組合而成。在半導體製造產業中，多晶矽通常經由LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)處理後，再以高於900℃的退火程序，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適用於平面顯示器製造產業，此乃因為玻璃的最高承受溫度只有650℃。因此，LTPS技術即是特別應用在平面顯示器的製造上。
現在已有許多方法可以在玻璃或塑膠基版上製造LTPS薄膜:
Polysilicon (多晶矽) 是一種約為0.1至數個um大小、以矽為基底的材料，由許多矽粒子組合而成。在半導體製造產業中，多晶矽通常經由LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)處理後，再以高於900℃的退火程序，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適用於平面顯示器製造產業，此乃因為玻璃的最高承受溫度只有650℃。因此，LTPS技術即是特別應用在平面顯示器的製造上。
現在已有許多方法可以在玻璃或塑膠基版上製造LTPS薄膜:
- Metal Induced Crystallization (MIC)：屬於SPC方法之一。然相較於傳統的SPC，此方法能在較低溫下（約500~600℃）製造出多晶矽。這是因為薄層金屬在結晶形成前即先被包覆，而金屬成分即扮演了降低結晶化的活性功能。
- Cat-CVD: 一種無須經由蒸氣粹取、而可直接沉積多晶薄膜(poly-film)的方法。沈積溫度可低於300℃。成長機制包含SiH4-H2混合體的catalytic cracking reaction。
- Laser anneal: 此為目前最廣為運用的方法。Excimer雷射為主要動力，用於加熱及融化a-Si，含有低量氫成分然後再結晶為poly-film。
現在已有許多方法可以在玻璃或塑膠基版上製造LTPS薄膜:
LTPS膜的製成遠比a-Si複雜許多，然而LTPS TFT比a-Si TFT的機動性多上一百倍。並且可以在玻璃基板上直接進行CMOS 程序。以下列出幾種p-Si優於a-Si的特性：
- 薄膜電晶体之遷移率更快，因此可直接在玻璃基板上製作驅動電路,因而降低成本。
- Vehicle for OLED : 高遷移率代表可提供OLED Device 較大之驅動電流,因此較適合作為主動型OLED顯示器之基板。
- 模組緊密：由於部份驅動電路可製作於玻璃基板上,因此PCB上的電路相對簡單,因而可節省PCB之面積。
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