全球第二大記憶體晶片廠海力士（Hynix）金鐘甲（Kim Jong-Kap）13日指出，DRAM整體市況去年第四季就已觸底，明年市場更可能出現供給缺口。
金鐘甲也是繼龍頭廠韓國三星醞釀漲價5%到10%後，今年以來第一位宣布記憶體市況已經觸底的業者，使DRAM市況再露曙光，海力士股價13日受此激勵上漲逾2%，並帶動三星股價走揚；台灣DRAM廠則受茂德與爾必達（Elpida）聯名提出整合案遭要求補件影響，茂德開盤就跳空跌停鎖死拖累，普遍走跌，僅華亞科收紅。
DRAM業者認為，海力士發表看好景氣的看法，主要與全球DRAM廠大幅減產，有效降低原本市場供需失衡的狀況有關。
今年以來DRAM與NAND Flash（儲存型快閃記憶體）價格陸續向上彈升，根據集邦報價，DRAM主流規格現貨價已順利站回1美元之上。
依外電報導，金鐘甲是在一場記者會上指出，記憶體市況已於去年第四季到達底部，雖然市況全面反彈時機仍需視全球經濟復甦情況而定，但因近期大多數業者都已減產並大幅下修資本支出，最快明年市場就會出現短缺情況。
如同三星今年對資本支出採取保守態度，海力士今年也對資本支出相當節制，預期今年預算將由去年的2.6兆韓元降至1兆韓元以內。金鐘甲指出，海力士今年首要任務為增加資金流動性；海力士今年將出售美國奧勒岡8吋晶圓廠，並正與潛在買主協商中。
DRAM價格 反彈在望
全球DRAM廠去年9月陸續宣布減產後，全球DRAM產出已減少逾二成，激勵現貨價強彈75%，由於減產效應持續擴大，元月上旬合約價開始止跌，市場預期，下旬合約價出現反彈機會極大。
DRAM主流規格DDRⅡ1GB現貨行情在去年11月中跌破1美元後，價格一路下滑，最低曾到每顆0.59美元，後因減產效應與實施有限度出貨，12月中開始反彈，上周(5～9日)再度站上1美元顆粒單價，上漲至1.01美元。
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