拓墣產研（TRI）報告指出，DRAM歷經近2年供需失衡的跌價衝擊，以及各大廠本季平均有20％減產，庫存去化可在明年首季逐漸發酵下，明年有機會浮現止跌跡象，扮演半導體業的復甦先鋒，預估明年全球總產值達292.5億美元，年增3％，終止連2年的衰退。
分析師認為，DDR3因與DDR2價差仍持續以每季5％幅度縮減，加上Intel新處理器Nehalem僅支援DDR3，明年下半年量化，看好DDR3從2010年起，取代DDR2，躍居主流的潛力。
拓墣產研表示，雖然明年DRAM上半年仍將面臨明顯供過於求的狀況，供過於求幅度約10％；下半年受惠Intel新處理器Nehalem推出，幅度可望收斂，價格也因減產有機會出現止跌翻揚。此外，受惠國際大廠製程改善帶動產出效益提升，明年光是來自製程改善的位元出貨量年成長約30％空間。
目前韓商三星、Hynix均將推出50奈米製程，約較70奈米增加80％貢獻，平均生產成本降低25％；爾必達則推出65奈米縮小版新製程，產出約增加20％，平均生產成本改善20％。以DRAM平均成本分析來看，8吋廠已不再具生產利基，勢必完全退出標準型DRAM的生產工作。
此外，由於DDR3約比DDR2降低約25％功耗，反應速度比DDR2要快，預期DDR3至2010年時，成為下一競爭追蹤焦點。目前量產DDR3包括三星、Hynix及爾必達，華亞科、南亞科規模也在逐步提昇，預估今年底前DRAM業界約10％產能轉向生產DDR3。至於瑞晶預計明年1月以50奈米製程試產DDR3。
不過，NAND Flash明年上半年供過於求幅度仍將逾10％，下半年在系統性產品大容量需求帶動下，整體超額供給幅度才會趨緩（縮減至5％至8％），明年價格恐仍有腰斬壓力，推估明年全球NAND Flash產值仍將續挫11.6％，2010年方有機會重啟成長趨勢。
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