國內DRAM廠商明年農曆年前手中可轉換公司債一一到期，加上DRAM價格低迷，現金壓力越來越大；但多家DRAM廠商及交易商預期，明年首季DRAM價格有機會止穩、且逐步向上反彈，明年全年1Gb規格均價可望較今年彈升六成以上。
國內DRAM廠目前以力晶生產成本最具競爭力，力晶已由70奈米製程轉入65奈米，明年初將進一步升級至相當於50奈米製程的65奈米微縮製程，增加20%的產出及減少20%到 30%的成本，配合價格止跌反彈，力晶明年有機會由虧轉盈。
美光（Micron）7日股價上漲2.28%，領先國內DRAM廠站穩季線之上，預料在美光股價帶頭下，配合減產效益發酵，為國內DRAM類股帶來正面消息。
2007年DRAM市場全年處於供過於求，DRAM全年均價跌幅達54%，今年受到金融風暴引發全球消費緊縮影響，DRAM全年均價更將超過六成。目前主流規格DDRII 1Gb現貨價格在1美元附近徘徊，短線雖不致破底，但價格已嚴重超跌。
國內DRAM廠及交易商集邦等業界人士指出，DRAM廠的減產效應有助明年第一季價格開始止穩，第二季有機會見到1Gb價格反彈至1.65美元。
事實上，繼今年9月力晶、爾必達（Elpida）以及海力士（Hynix）宣布12吋減產、8吋停產後，其他原本宣稱無計劃減產的廠商也陸續在10月宣布減產。其中華亞科在美光確定入主後，11月開始減產20%，以準備技術轉換。
南科也暫停三廠二期的擴產計劃，轉而先於三廠一期廠區內進行3萬片產能的技術轉換，南科本月開始產能將逐步下降，預計明年1月產能降至零，2月開始轉進美光技術。
集邦表示，預計11月各大DRAM廠減產合計將達12.5萬的12吋產能，大約占全球12吋晶圓廠總投片量10%，加上9月減產數量，截至年底全球DRAM總產能減產達16%以上。
DRAM過冬 找金援 急歲修
DRAM廠商經歷近兩年大幅虧損，企業經營正面臨最嚴苛的挑戰。DRAM廠商包括力晶、茂德、南科等從本月起到明年第一季陸續展開歲修，時間較往年大幅提前，形同「變相減產」。
力晶已率先減產10%到15%、約減少1.5萬片晶圓產出，但標準型DRAM市價目前仍低於現金成本，因此將晶圓廠歲修作業提前至本月進行，降低虧損和現金流出的幅度。
市場也傳出，茂德生產部門明年元月進行為時一個月的歲修。但業界擔憂，茂德在資金壓力下，明年元月歲修後，是否能恢復全線生產，恐為明年第一季DRAM供給帶來變數。南科明年元月將其12吋廠投片量降為零，為轉進美光技術預作準備，市場預估，屆時市場又將減少約5萬片的產能。
值得注意的是，多家DRAM公司所發行的公司債明年陸續到期，為度過眼前難關，DRAM廠商在減產、歲修之外，亦加速尋求資金挹注。力晶日前獲爾必達承諾將金援數十億元，為力晶在資金乾旱期的當下，帶來一場及時雨。
明年第一季茂德有一筆金額3.3億美元（約新台幣105億元）公司債陸續到期，茂德強調，3.3億美元的公司債有二階段可進行贖回或轉換，明年第一季是選擇權可開放贖回的第一階段；公司正計劃發行總額約新台幣百億元的海外存託憑證（GDR）及海外可轉換公司債兩項海外募資案，相信可順利籌措完成，資金調度不成問題。
南科2004年1月發行為期五年、金額約2.2億美元（約新台幣70億元）的海外可轉債，在2009年到期前僅需償還1,500萬美元。南科近期則取得百億元的銀行聯貸，滿足短期現金需求。
茂德目前規劃發行海外可轉債、存託憑證，預計籌募數十至百億以上的資金，以維持公司正常的現金流量。
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