動態隨機存取記憶體(DRAM)股認購權證多空大決戰,茂德(5387)有兩檔連結權證20日漲幅超過300%;南科(2408)、力晶(5346)連結權證則漲跌互見。分析師指出,DRAM股沉寂已久,股價都已跌到淨值以下,吸引法人透過權證進場布局,可望出現反彈契機。

法人指出,三大DRAM廠的認購權證,愈遠月的權證漲幅愈大,顯示市場認為DRAM股短期仍難有漲勢,但因DRAM產品景氣循環周期相當快,市場預期在報價回穩後,類股走勢可能強力反彈,因此藉買進較遠月的認購權證等待股價反彈。

台股20日由黑翻紅,盤中最低下跌308點,跌破8,400點,市場信心潰散。不過,市場積極尋找超跌股,期待跌深反彈,近來基本面不佳、股價弱勢的DRAM股也出現在法人布局的名單。

集邦科技20日指出,1Gb的有效測試(eTT)DDRⅡ顆粒報價跌破2美元,20日平均報價為1.9美元,快速向512Mb產品均價的0.9美元靠攏,最主要是因為需求不振,讓廠商第四季持續虧損機率大增,也使得近來DRAM股股價大幅回檔。

力晶更成為DRAM弱勢股指標,20日成交3萬多張,早盤10時前,共有三筆近千張大單敲進,但仍無法讓股價由黑翻紅,20日下午1時多的幾筆買單,也沒能讓股價回到平盤之上,終場下跌0.1元,收12.55元。

以力晶為連結標的股的認購權證復華Q7與工銀T5,則出現相反走勢。下個月將到期的工銀T5重挫66.67%,但明年1月才到履約期的復華Q7則大漲200%。股市專家認為,這可能是法人看好明年第一季的DRAM股走勢,開始布局。

連結南科的認購權證中信HG上漲68.6%,但永豐N1則下跌75%,其中中信HG的到期日為明年5月,永豐N1則為明年2月。連結茂德的兩檔權證則同步大漲逾300%,兩檔權證的到期日都是明年1月。

分析師表示,藉由布局較遠期的認購權證,目前成本相當低,尤其茂德、力晶等股價都已跌破淨值,若明年第一季DRAM報價走穩,廠商由虧轉盈,股價即可能出現反轉,認購權證獲利空間將更大。

 
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