近期電子大廠陸續召開法說會，普遍表示對今年展望樂觀，台股壓縮整理後，可望上演一波「法說會行情」。全球DRAM廠商從2006年投入「擴產競賽」，造成DRAM嚴重供過於求，加上2007年1月推出的Vista銷售不如預期，使得DRAM報價最多僅維持在約2美元的生產成本附近，也讓DRAM廠開始進入慘澹經營，2008年金融海嘯更讓DRAM報價崩盤，DDR2 1Gb eTT現貨價從2008年6月的2.16美元，跌到2008年12月的0.59美元，由於跌破約1.3美元的現金成本，DRAM廠等於賣一顆賠一顆，引爆了力晶(5346)、茂德(5387)的財務危機，甚至連政府都出面成立TIMC挽救僵局。
DRAM供需調整完畢 活力再現
市況不佳也讓去年除了韓國三星之外的全球DRAM廠商都削減資本支出，並停止擴廠計畫，加上Qimonda退出市場，使DRAM供給快速下滑，雖然DRAM報價從去年Q1開始反彈，但上半年始終低於約1.5美元的變動成本，下半年隨著Server及NB開始導入DDR3，造成DDR3缺貨，帶動報價起漲，DRAM廠將DDR2產能轉為生產DDR3，隨著進入歐美PC旺季，加上中國需求，反而讓DDR2供不應求，因此去年11月DDR2 1Gb eTT現貨價漲到最高2.66美元，一度超過DDR3的報價，帶動台灣多家DRAM廠，去年Q4獲利順利轉虧為盈。
拓墣預估，使用Win 7的PC，平均DRAM搭載量將從去年的2.4GB上升到今年的3GB，而今年全球PC出貨可望達到3.18億台，帶動DRAM產業需求回溫。加上50nm以下製程需採用溼製程曝光機及銅製程機台，每台單價超過15億元，進入門檻高，有助限制今年全球DRAM產能開出。此外，今年Q1受惠中國農曆春節前的庫存回補需求，相關廠商業績可望淡季不淡，雖然近期股價漲多拉回，但整理過後，體質好的個股仍值得留意。
台塑集團DRAM廠製程技術領先
台塑集團DRAM廠南科(2408)，自結去年Q4稅後EPS 0.09元，轉虧為盈，今年Q1營收季增率挑戰持平，目前擁有1座12吋廠和2座8吋廠，去年下半年12吋廠進行50nm製程轉換，產能利用率僅約6成，但目前50nm已達到12吋廠產能5成，在台灣廠中進度最快，今年下半年轉換完成後，可望全線運轉，8吋廠則1座租給華亞科，另1座進行代工及生產利基型DRAM，今年位元產出成長年增率挑戰7成。
由於50nm生產的顆粒較70nm上升1倍，但成本僅有70nm的一半，南科可望享有產出增加以及成本下降的雙重優勢，目前股本340億，在DRAM廠中最低，預估今年EPS挑戰5元，業績具爆發性。
華亞科(3474)自結去年Q4稅後EPS 0.13元，轉虧為盈，目前12吋廠月產能為13萬片，由於進行50nm製程轉換，到今年Q3前產能被限制在10萬片，到今年底才會恢復全產狀態，而50nm製程預計今年3月開始產出，到下半年比重才會超過5成，加上製造利潤需與客戶共享，預估今年EPS 2.5元，成長力道不如南科，但股價淨值比較低，具比價空間。
DRAM封測廠福懋科(8131)，有富爸爸加持，去年Q3獲利轉虧為盈，去年Q4營收季增率1成，預估去年稅後EPS 0.2元，目前產能接近滿載，並且市場上DRAM封測產能吃緊，今年Q1可望調漲代工價1～2成，業績持續增溫，受惠南科及華亞科50nm製程轉換效應，今年封測數量可望成長超過5成，預估今年EPS 2.5元，年增率高達11.5倍，近期漲多回檔，在46元附近可望具支撐。
華新集團記憶體廠業績具轉機性
利基型記憶體的華邦電(2344)去年11月11日與爾必達簽訂DRAM合作備忘錄，為其代工製造DRAM以及繪圖記憶體，報價上漲及繪圖記憶體大缺貨，帶動去年Q4獲利挑戰轉虧為盈，爾必達也宣布今年將移轉40nm DDR3製程技術給華邦電，預估今年EPS 0.5元，轉虧為盈，也具有轉機性。
華邦電轉投資持股12.3％的記憶體封測廠華東(8110)，目前產能逼近滿載，加上報價上漲題材，今年Q1業績也可望淡季不淡；華東持股24％的承啟(2425)由板卡轉型DRAM模組廠，也受惠DRAM報價上漲，去年前3季獲利逐季成長，去年Q4營收季增率高達67％，近期股價大漲一波後進入整理，但股性較投機，短線不建議介入。
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