聯電布局記憶體領域，找上日本最大記憶體廠爾必達（Elpida），兩家公司22日共同宣布，將進行交互授權，由爾必達提供未來聯電發展系統單晶片（SOC）所需的DRAM技術；聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線（low-k／copper）專利。聯電成為繼力晶後，爾必達在台灣的另一重要合作夥伴。
業界指出，目前標準型記憶體並不需要使用低介電質銅導線技術，但未來邁入45奈米以下製程後，則會開始用到。由於力晶與爾必達乃共同開發技術，爾必達取得聯電相關授權後，力晶也將受惠，且透過晶圓代工廠與DRAM廠交互授權的模式，也是記憶體業界的一大創舉。
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力晶表示，爾必達在與聯電談洽談合作時，便已知會力晶，未來力晶、爾必達透過聯電的專利授權，對於DRAM先進製程研發將有相當助益。
這也是聯電董事長胡國強對外宣布「聯電對記憶體事業相當有興趣」後，首次揭露與國際大廠的合作計畫，爾必達現階段是力晶在標準型記憶體產能及技術的合作夥伴。
業界認為，聯電與爾必達合作，讓爾必達邁入奈米世代，線寬愈來愈窄化後，擁有加快電流速度的低介電質銅導線關鍵技術，對於技術提昇將如虎添翼。目前銅製程相關技術僅有台積電、聯電等晶圓代工大廠擁有。
聯電表示，此次與爾必達針對先進DRAM發展合作，共同進行低介電質銅導線的DRAM和PRAM（相位變化隨機存取記憶體）技術研發；未來聯電將獲採用爾必達的DRAM技術，作為先進系統單晶片解決方案的一部分。
聯電營運長孫世偉表示，爾必達是全球DRAM技術領導廠商，聯電希望透過此次合作，將更尖端的嵌入式系統單晶片解決方案提供給晶圓代工客戶。在編排部分，爾必達與聯電將合作研發PRAM技術，結合爾必達在硫族化合物（GST）材料的專業知識、及聯電在CMOS邏輯製程的高效能表現。
除了聯電，台積電也已積極投入嵌入式DRAM（E-DRAM）技術開發，據了解，目前已進展到65奈米製程，並採取自主開發模式。
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