晶圓代工大廠聯電昨（二十二）日宣佈與日本DRAM大廠爾必達策略聯盟，雙方將共同開發具低介電質（Low-K）銅導線的動態隨機存取記憶體（DRAM）及相位變化隨機存取記憶體（PRAM）。雖然聯電表示，DRAM的合作將用於聯電的嵌入式DRAM製程上，作為系統單晶片（SoC）解決方案的一部份，不過業界人士仍認為，聯電已為未來進入DRAM市場打開大門，年底前重開授權產品事業部門（License Product Division，LPD）部門消息應不是空穴來風。
根據昨日聯電及爾必達公佈消息，雙方在DRAM技術上的合作計劃，一是聯電將授權爾必達使用其低介電銅導線製程技術，以應用在爾必達的DRAM產品製程上，爾必達則許可聯電將爾必達的DRAM技術應用在嵌入式DRAM製程上，作為先進系統單晶片解決方案的一部份。至於在PRAM技術的合作案部份，聯電及爾必達將共同進行開發，結合爾必達在硫族化合物（GST）材料的專業矽智財，與聯電在互補金屬氧化（CMOS）邏輯製程進行整合。
爾必達技術長安達隆郎（Takao Adachi）表示，爾必達與聯電的合作具重大意義，因為低介電質銅導線技術將可協助驅動高效能DRAM的生產，同時有助於製程持續微縮，達到高速化、低消費電力、大容量化的目標。此外，爾必達在記憶體材料上的技術與聯電的CMOS製程整合後，將可推動被視為次世代記憶體的PRAM加速商品化時程。
對於聯電與爾必達的合作案，國內DRAM廠雖認為短期不會造成影響，但聯電是否藉此重回DRAM市場，則有待後續觀察。
相變化記憶體（PRAM）與一般快閃記憶體同是非揮發性記憶體（Non-volatile），但不同之處在於資料儲存與讀取原理。相變化記憶體操作原理與光碟片非常相似，都是利用所謂的硫化合物如鍺（Ge）、銻（Sb）、碲（Te）等作為核心，透過熱能的轉變，讓材料在結晶狀態與非結晶狀態間不停的轉換。
在光碟系統中是利用雷射光來提供熱能來源，藉由結晶與否狀態對於光的反射率不同，來分辨所紀錄的內容為何，在相變化記憶體中主要是透過電流，透過加熱電極來提供結晶狀態改變所需要的熱能。此外，在訊號讀出的方式上，相變化記憶體也與光碟系統截然不同，相變化記憶體操作是利用結晶與否狀態的電流導通阻值的不同，來紀錄數位資料一與○資料，並由不同組合讀出不同資料內容。
目前相變化記憶體研發陣容相對規模較小，但英特爾、意法半導體、IBM都是此一技術最大支持者，三星電子也於今年加入，所以業界認為相變化記憶體可望在大廠支持下，成為次世代記憶體主流規格之一。
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